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北京創世威納科技有限公司
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應用方向：科研與教學產品優勢：耐氟基或更弱腐蝕性氣體產品配置：★樣片數量及尺寸：1片Ф6英寸★刻蝕材料：包括并不限于單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等★刻蝕腔體：高真空系統★刻蝕不均勻性：±3%-±6%★刻蝕速率：0
應用方向：科研與教學
產品優勢：耐氟基或更弱腐蝕性氣體
產品配置：
★樣片數量及尺寸：1片Ф6英寸
★刻蝕材料：包括并不限于單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等
★刻蝕腔體：高真空系統
★刻蝕不均勻性：±3%-±6%
★刻蝕速率：0.1-4μm/min（視具體材料與工藝）
★工作臺：可升降，包含水冷
★電源配置：上電極射頻，下電極偏壓，包含自動匹配
★氣路數量與種類：6路耐氟基腐蝕氣路 或 用戶選配
★深硅刻蝕系統：可選配
★He冷背吹系統：可選配
★終點檢測控制：可選配質譜儀
★操作模式：全自動+半自動控制
類似產品：帶單片送樣室（ICP-5100）；帶單片送樣室耐氯氣腐蝕（ICP-5101）
設備詳細結構與功能，請咨詢銷售工程師。
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