<span id="zulb6"></span>

當前位置：武漢賽斯特精密儀器有限公司>>半導體測試儀器解決方案>>ICP-2B型標準電感耦合等離子體刻蝕機

ICP-2B型標準電感耦合等離子體刻蝕機

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協議為準

產品型號

品牌其他品牌

廠商性質生產商

所在地武漢市

在線詢價收藏產品查看聯系電話

聯系方式：左斌斌查看聯系方式

更新時間：2020-11-16 21:42:33瀏覽次數：350次

聯系我時，請告知來自環保在線

產品分類 品牌分類

  半導體測試儀器解決方案

半導體前道儀器設備

半導體后道儀器設備

半導體檢測儀器設備

全部產品列表

  其他品牌

武漢賽斯特精密儀器有限公司

經營模式：生產廠家

商鋪產品：1668條

所在地區：湖北武漢市

聯系人：左斌斌（銷售經理）

詢價 給他留言

產品簡介

加工定制	是

本設備為單室高真空系統，它主要由真空系統、氣路系統、電氣系統、射頻電源系統、冷卻系統、報警系統等組成。
ICP-2B型標準電感耦合等離子體刻蝕機

詳細介紹

一. 系統描述

本設備為單室高真空系統，它主要由真空系統、氣路系統、電氣系統、射頻電源系統、冷卻系統、報警系統等組成。

真空系統由一個分子泵（抽速600升/秒）+ 一個直聯旋片式真空泵（抽速9升/秒）組成抽氣系統, 將真空室抽至高真空, 分子泵與真空室之間裝有一個手動插板閥, 直聯旋片式真空泵為真空室予抽泵及分子泵前級泵。直聯旋片式真空泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼硬管及波紋管連接, 并裝有電磁氣動隔斷閥。

射頻電源采用國產雙電源控制。

氣路系統采用四個質量流量控制器控制四路氣體進氣。氣體管路采用1/4英寸不銹鋼硬管，管路接頭連接形式采用雙卡套連接。

本設備設有安全保護及報警系統。

二. 技術指標

1.極限真空度: 9×10^-5Pa（環境濕度≤55%）

2. 刻蝕材料: Si, SiO2, Si3N4等

3. 刻蝕速率： 0.01 ~ 2μ/min

4. 刻蝕均勻性: ≤±5％ (φ120mm范圍內)

5. 電極尺寸: φ200mm

6. 反應室尺寸：φ300×280mm

三．設備配置

1. 真空泵源: 分子泵一臺（抽速600升/秒）