溫度敏感突變株(簡稱溫敏突變株，Ts突變株)是一種條件致死突變株，它們在許可溫度下能正常生長，在非許可溫度下不能生長。溫敏突變株主要由必需基因突變引起，也可由非必需基因突變產生。由后者形成的Ts突變株在非許可溫度下生長時，需要補充其他條件。

    TS突變株與某些基因產物的結構改變有關，即酶的氨基酸序列發生了一定的變化，但酶的活性中心未變。溫敏突變株在許可溫度下培養時，酶的活力、菌體生長和代謝都正常，當菌體生長到一定階段。轉到非許可溫度時，可使突變體由正常狀態轉入具有某些特性的非主長狀態，導致細胞某些結構改變，從而使發酵目的產物得以不斷合成和往外分泌。

(1)溫敏突變株的篩選方法溫敏突變株zui常見的基因突變是錯義突變，即結構基因上堿基發生轉換或顛換，引起氨基酸序列改變。除了錯義突變外，二次移碼突變、結構基因末端缺失、結構基因無義突變等也可產生溫敏突變株。由于這些基因突變后造成酶結構異常，在高溫時失活，引起細胞結構改變。

    由于溫敏突變株主要由錯義突變所致，因此，選擇誘變劑時要選擇易于引起基因置換的重硝基類、磺酸酯類或亞硝酸、紫外線等誘變劑。

    在誘變后的存活菌體中溫敏突變株的數量很少．大部分為野生型菌株，因此，要采取一些措施，淘汰野生型菌株．富集溫敏突變株，以提高溫敏突變株的篩選效率。常采用以下幾種富集方法。

①抗生素法將誘變后的菌體在非許可溫度下培養一定時間后．加入抗生素，可殺死野生型菌株，但不能殺死未曾生長的溫敏突變株。離心除去抗生素后．進行分離篩選。

②過濾或離心法某些溫敏突變株是DNA復制缺損或孢子萌發缺損的突變株．它們在非許可溫度下培養到一定時期，細胞伸長成絲狀，或芽枝不脫落母細胞，致使密度增加．可用薄膜過濾或密度梯度離心等方法富集。

③H3一前體法要富集某些大分子合成缺損的溫敏突變株，可以加入相應的H3一前體物質。如篩選RNA合成缺損的溫敏突變株，可把誘變后的菌體在非許可溫度下培養，并加入H3一*，此時RNA缺損TS突變株不能合成RNA，也不吸收H3一*，而野生型可吸收H3一*，并將其滲入RNA。含H3一RNA的細胞在長時間低溫保存過程中由于射線損傷而死亡，但RNA合成缺損的TS突變株則能保存下來。

    同樣，蛋白質合成缺損或磷脂合成缺損TS突變株可在非許可溫度下培養時加入H3一氨基酸或H3一甘油磷酸，從而達到富集。

    經過誘變和富集后的微生物群體中溫敏突變株的數量雖然已較多，但仍然是多種微生物的混合體，因此，要把溫敏突變株從群體中篩選出來。具體篩選方法如下：將經過富集后的菌體分離于CM上，置于30℃下培養，當菌落長出后，用影印法將菌落分別復印到一個CM和兩個MM平板上，分成兩組(圖4．38)。其中一個MM平板為一組，置于許可溫度(如30℃)下培養；另一組MM和CM平板各一個，置于非許可溫度(40℃)下培養；根據菌落生長情況，可以篩選到兩類溫敏突變株。細胞