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美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 75: 緊湊柵極離子源, 離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個陰極燈絲, 其中一個作為備用, KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 250 mA。
美國KRI考夫曼離子源 KDC 75 技術參數如下：
通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.
型號 | KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出) |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 2 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | 專用, 自對準 |
-柵極直徑 | 7.5 cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1212 或 KSC 1202 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安裝 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 7.9' |
- 直徑 | 5.5' |
- 離子束 | 聚焦 |
-加工材料 | 金屬 |
-工藝氣體 | 惰性 |
-安裝距離 | 6-24" |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設備: e-beam 電子束蒸發系統
離子源型號: KDC 75
應用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積
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