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廣東益民水處理科技有限公司

多晶硅片清洗為什么要用到超純水設備?

時間:2013-1-3閱讀:2382
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多晶硅片清洗為什么要用到超純水設備?

多晶硅片,半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質,包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態,有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等,引起嚴重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等,會導致各種缺陷。所以清洗多晶硅,半導體,太陽能光伏電池板必須用超純水,目前制取超純水工藝可分為反滲透+混床超純水設備,二是反滲透+EDI超純水設備,這是兩種制取超純水設備常用的工藝。

 

超純水設備是指采用預處理、反滲透技術、超純化處理以及后級處理等方法,將水中的導電介質幾乎*去除,又將水中不離解的膠體物質、氣體及有機物均去除至很低程度的水處理設備,用于制取超純水的機器,超純水zui初是美國科技界為了研制超純材料(半導體原件材料、納米精細陶瓷材料等)應用蒸餾、去離子化、反滲透技術或其它適當的超臨界精細技術生產出來的水,這種水中除了水分子(H20)外,幾乎沒有什么雜質,更沒有細菌、病毒、含氯二惡英等有機物,當然也沒有人體所需的礦物質微量元素,超純水無硬度,口感較甜,又常稱為去離子水,可直接飲用,也可煮沸飲用。超純水,是一般工藝很難達到的程度,如水的電阻率大于18MΩ*cm,接近于18.3MΩ*cm則稱為超純水。
超純水設備行業水質標準超純水水質分為五個行業標準,分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm,以區分不同水質。

 

超純水設備技術發展史:

*代:預處理 -陽床-陰床-混床

第二代:預處理 -反滲透-混床

第三代:預處理 -反滲透-電去離子(EDI)

 

多晶硅片,半導體器件,太陽能光伏行業硅片清洗水質要求非常高,電阻率達18兆以上,目前工藝是全膜法制取超純水,全膜法超純水設備是指采用盤濾+UF+RO+EDI+SMB組成的工藝設備,即預處理采用盤濾過濾器+超濾工藝,除鹽采用二級反滲透+EDI工藝使産水電阻率達到15MΩ.cm以上,終端供水采用變頻供水泵+二級精精混床+終端超濾膜使産水電阻率達到18.2MΩ.cm,經處理后的產水水質達到《電子級水GB/T11446.1-1997 Ⅰ級》水質標準。

 

全膜法超純水設備該超純水設備關鍵技術EDI系電滲析(ED)和離子交換技術(DI)有機結合,達到連續除鹽、運行維護簡單、無酸堿排放污染。在膜處理系統中,用做前處理的超濾一般使用直徑1mm的中空纖維,以脫除原水中的懸浮物及膠體,UF用作前處理的zui大問題是膜污染及膜孔堵塞,為此常在前面設置預過濾器,以去除大粒徑懸浮物,在預過濾前加絮凝劑,如PAC(聚丙稀酸)可提高過濾水質,并降低膜阻力。對電廠鍋爐補給水系統要求的溶氧量一般要求為0.3 mg/L以下,為此脫氣膜應該在低于5.33Kpa(40TORR)的真空度下操作。控制系統采用工控機程控控制,可實現自動起停,加藥及沖洗,自動監測各種運行參數,以便生產管理。

 

全膜法超純水設備系統有如下優點:

1、連續運行禪水質穩定品質更佳。

2、系統運行可靠性穩定。

3、運行成本低。

4、占地面積小。

5、自動化程度高。

6、操作及維護簡單,無需接觸酸堿。

7、使用安全及環境良好。

8、無污水排放,無環境污染。

 

硅是地球上儲藏zui豐富的材料之一,從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性后,它幾乎改變了一切,甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始,硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜制作大功率器件的特性而成為應用zui多的一種半導體材料,目前的集成電路半導體器件大多數是用硅材料制造的。現在,我們的生活中處處可見“硅”的身影和作用,晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化zui快的。

 

熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅,然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅棒是生產單晶硅片的原材料,隨著國內和市場對單晶硅片需求量的快速增加,單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

 

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直徑越大的圓片,所能刻制的集成電路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同,分為直拉法(CZ)、區熔法(FZ)和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材,外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域,廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。

 

由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)單晶硅材料應用zui廣。在IC工業中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片,因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片,因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch-up的能力。

 

單晶硅也稱硅單晶,是電子信息材料中zui基礎性材料,屬半導體材料類。單晶硅已滲透到國民經濟和國防科技中各個領域,當今超過2000億美元的電子通信半導體市場中95%以上的半導體器件及99%以上的集成電路用硅。

 

多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個晶粒的排列方向彼此不同,其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色,不透明,具有金屬光澤,性脆,常溫下不活潑。多晶硅是用金屬硅(工業硅)經化學反應、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅)。目前世界上多晶硅生產的方法主要有改良西門子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產工藝。當前多晶硅的市場狀況是:從上來看,早幾年多晶硅還處于供過于求的局面,2004年開始,由于太陽能產業的發展,太陽能用多晶硅供不應求,導致多晶硅供應緊張。在國內,我國多晶硅生產長期不能滿足國內市場需要,嚴重依賴于進口。

 

太陽能電池片,中文名稱:太陽能電池板 英文名稱:solar cell panel 定義:由若干個太陽能電池組件按一定方式組裝在一塊板上的組裝件.太陽能電池板 Solar panel,分類:晶體硅電池板:多晶硅太陽能電池、單晶硅太陽能電池。非晶硅電池板:薄膜太陽能電池、有機太陽能電池。太陽能電池板:太陽能電池板是太陽能發電系統中的核心部分,也是太陽能發電系統中價值zui高的部分。其作用是將太陽能轉化為電能,或送往蓄電池中存儲起來,或推動負載工作。太陽能電池板的質量和成本將直接決定整個系統的質量和成本。

 

益民水處理生產的超純水設備處力:按客戶要求設計

出水指標:≥16-18.2MΩ.CM

產水用途:電子、單晶硅/多晶硅用工業超純水、純水、單晶硅多晶硅清洗超純水、硅片硅材料清洗超純水

 

我們公司專業生產全膜法超純水設備,有多年的生產經驗,尤其在電控系統PLC方面在水處理行業技術都是比較成熟,我們也有做過很多各行業的水處理設備,這方面我們有豐富的經驗。我們公司做出來的設備質量比他們都有優勢,在國內具有一定的市場竟爭力。該產品由于具備性能好、*國外同類產品價格、供貨及時、售后服務方便快捷等諸多優勢。在硅片,太陽能光伏,半導體,LED、LCD、光電光學企業的脫鹽水和超純水裝置,得到了業界的廣泛贊譽,歡迎廣大客戶前來參觀考察。益民爭創業內水處理*品牌-竭誠為新老客人提供產品和技術服務。

 

全膜法超純水設備在設備設計上,采用成熟、可靠、*、自動化程度高的兩級RO+EDI水處理工藝,預處理采用盤濾過濾器+超濾工藝,除鹽采用二級反滲透+EDI工藝使産水電阻率達到15MΩ.cm以上,終端供水采用變頻供水泵+二級精精混床+終端超濾膜確保處理后的超純水水質電阻率達到18.2MΩ.cm,利用率高,運行可靠,經濟合理。關鍵設備及材料均采用主流*可靠產品,采用PLC+觸摸屏控制,全套系統自動化程度高,系統穩定性高。大大節省人力成本和維護成本。使設備與其它同類產品相比較,具有更高的性價比和設備可靠性。
作者:益民水處理來源:超純水設備

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