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西安長禾半導體技術有限公司


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高溫反偏HTRB功率老化第三方檢測中心

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參  考  價:99
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號

    長禾CNAS

  • 品牌

    其他品牌

  • 廠商性質

    生產商

  • 所在地

    西安市

規格

1 99元 999件可售

聯系方式:白曉輝查看聯系方式

更新時間:2025-05-19 11:03:41瀏覽次數:172次

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經營模式:生產廠家

商鋪產品:20條

所在地區:陜西西安市

聯系人:白曉輝 (銷售)

產品簡介
加工定制    

高溫反偏HTRB功率老化第三方檢測中心
功率器件參數驗證與二次篩選測試:保障器件性能穩定,助力客戶優化供應鏈質量控制。
車規級元器件檢測:針對新能源汽車,提供符合嚴苛車規標準的功率器件篩選與可靠性驗證,助力行業客戶突破核心技術瓶頸。
環境與老化實驗:模擬特殊環境下器件工作狀態,確保產品在復雜工況中長期可靠運行。
失效分析及可靠性評估:快速精準定位元器件失效根因,為產品改進和技術迭代提供有力支撐。

詳細介紹

高溫反偏HTRB功率老化第三方檢測中心

高溫反偏試驗(HTRB)  

執行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;

試驗能力:溫度  150℃;電壓  5000V;

高溫柵偏試驗(HTGB)  

執行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;

試驗能力:溫度  150℃;電壓  100V;

高溫高濕反偏試驗(H3TRB)

執行標準:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗對象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊;

試驗能力:溫度85℃,濕度范圍:25%~95%,電壓  4500V;

功率老煉測試      

試驗對象:IGBT、TVS、壓敏電阻VDR;

試驗能力:檢測 電壓:4500V,檢測 電流:200A

間歇壽命試驗(IOL)

執行標準:GJB128、MIL-STD-750、 ;

試驗對象:DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件;

檢測能力:ΔTj≧100℃ 電壓 60V,電流 50A。

功率循環試驗(PC)

執行標準:GJB128、MIL-STD-750、 ;

試驗對象:IGBT模塊;

檢測能力:ΔTj=100℃,電壓 30V,電流 1800A;

熱阻測試(Riath)    

執行標準:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;

試驗對象:各類二極管;

試驗能力:瞬態熱阻、穩態熱阻


環境老煉      

高溫存儲試驗(HTSL    

執行標準:MIL-STD-750GB/T 2423.2-2008GJB548、 ;

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:溫度  220℃;

低溫存儲試驗(LTSL    

執行標準:GJB548GJB128MIL-STD-750JESD22-A108EIAJ ED-4701100 AEC-Q101、 ;

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:溫度   -70℃。

高低溫循環試驗(TC    

執行標準:GJB548GJB128MIL-STD-750JESD22-A108EIAJ ED-4701100 AEC-Q101、 ;

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:溫度范圍:-40~175℃。

溫度沖擊試驗      

執行標準:GJB548GJB 150-86GB 2423MIL-STD-810HIEC60068-2-14

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:溫度范圍:-70~220℃。

高溫蒸煮試驗(PCT      

執行標準:GB/T 4937.4-2012?JESD22-A110D-2010?

IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗能力:?溫度范圍?105℃142.9℃之間;濕度范圍?75%100RH

壓力范圍?0.02MPa0.186MPa

可焊性試驗  

執行標準:MIL-STD-202GMIL-STD-883GGB2423IEC60068

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

振動試驗      

執行標準:GJB 150.25-86GB-T 4857.23-2003GBT4857.10-2005

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗方法:模擬產品在運輸、安裝及使用環境下所遭遇到的各種振動環境影響,主要用于評定元器件、零部件及整機在預期的運輸及使用環境中的抵抗能力,以了解產品的耐振壽命和性能指標的穩定性。

鹽霧試驗      

執行標準:GB/T2423.172008GB/T2423.182000GB593886

試驗對象:DIODEBJTSCRMOSFETIGBTSiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品;

試驗方法:通過人工模擬鹽霧環境條件來考核產品或金屬材料耐腐蝕性能的環境試驗。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進行評價、篩選、對比,確定產品中潛在問題的區域和部位,發現質量控制的不足,尋找設計缺陷等。


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