CMP預清洗機是一種用于半導體制造領域的專業設備。在化學機械拋光（CMP）工藝前，它發揮著關鍵作用。其能有效去除半導體硅片、晶圓等表面的污垢、雜質及殘留物，為后續的CMP提供清潔基礎。該設備通常具備精準的清洗控制系統，可調節清洗參數，確保清洗效果的一致性與高效性。它的清洗過程較為溫和，能避免對硅片等造成損傷。在提高半導體產品質量、提升生產效率以及降低生產成本方面，都有著不可替代的重要。

詳細介紹

今天我們主要的目的就是給大家介紹一下CMP預清洗機，為了讓大家有一個全面了解，我們從工作作用、結構原理、技術優勢等多方面來給介紹。

功能與作用

去除表面雜質：在半導體制造的諸多環節中，晶圓等材料表面會附著各種雜質，如灰塵、油污、拋光粉殘留等。CMP 預清洗機能夠通過特定的清洗工藝，精準且有效地去除這些雜質，為后續的化學機械拋光（CMP）提供超潔凈的表面基礎。

增強 CMP 效果：經過預清洗處理后，晶圓表面的清潔度大幅提高，這有助于在 CMP 過程中實現更均勻的材料去除和更高的表面平整度，減少表面缺陷，從而提升最終芯片的性能和良品率。

防止交叉污染：在不同的加工批次中，如果晶圓表面存在殘留物，可能會導致交叉污染。預清洗機的使用能杜絕此類風險，保證每個晶圓進入 CMP 環節時都處于純凈狀態，確保產品質量的穩定性和一致性。

工作原理

物理清洗機制：利用高壓噴射的清洗液對晶圓表面進行沖刷，清洗液以較高的速度從噴頭噴出，沖擊力足以將表面的大塊雜質和松散附著物去除。同時，一些設備還配備超聲波振蕩裝置，通過超聲波在液體中產生的空化效應，增強清洗液與晶圓表面的接觸和滲透能力，進一步松動并去除微小的雜質顆粒。

化學清洗協同：除了物理清洗，清洗液的化學成分也起到關鍵作用。針對不同的污染物和材料特性，清洗液中含有特定的化學物質，如堿性或酸性物質、表面活性劑等。這些化學物質可以與污染物發生化學反應，將其分解或溶解，使其更容易被清洗液帶走。

CMP預清洗機

結構組成

清洗腔室：這是預清洗機的核心工作區域，采用高耐腐蝕性材料制成，如不銹鋼、聚四氟乙烯（PTFE）等。腔室內部設計合理，能夠容納不同尺寸的晶圓，并且保證清洗液在腔室內均勻分布，地對晶圓表面進行清洗。

清洗液供應系統：包括清洗液儲存罐、泵和管道。儲存罐用于存儲不同配方的清洗液，泵負責將清洗液從儲存罐中抽出并輸送到噴頭，管道則連接各個部件，確保清洗液的穩定供應和循環使用。通過精確的流量控制和壓力調節，可根據不同的清洗需求和晶圓規格，準確控制清洗液的流量和噴射壓力。

傳動與定位系統：為了使晶圓在清洗過程中能夠均勻受洗并充分接觸清洗液，預清洗機配備高精度的傳動裝置和定位系統。傳動裝置通常采用電機驅動的方式，能夠控制晶圓以合適的速度旋轉和移動，確保清洗的全面性。定位系統則可以精確地將晶圓定位在噴頭下方的特定位置，保證清洗的準確性和一致性。

干燥系統：在清洗完成后，為了盡快去除晶圓表面的水分，防止水漬殘留和再次吸附雜質，預清洗機配備高效的干燥系統。常見的干燥方式有高速旋轉甩干、熱風烘干和真空干燥等。高速旋轉甩干利用離心力快速去除大部分水分，熱風烘干則通過吹送高溫干燥空氣加速水分蒸發，真空干燥則是在低壓環境下使水分快速汽化并被抽走。

技術優勢

高精度清洗能力： CMP預清洗機能夠實現納米級別的清洗精度，有效去除微小顆粒和雜質，滿足半導體制造對超高表面質量的要求。通過精確控制清洗參數，如清洗時間、溫度、清洗液濃度和流量等，可確保每次清洗都能達到高度一致的效果。

兼容性廣泛：可以適應多種類型和規格的晶圓材料，如硅片、化合物半導體等。無論是大尺寸的 300mm 晶圓還是小尺寸的科研用晶圓，都能通過調整設備參數找到合適的清洗方案。同時，對于不同制程節點和材料特性的半導體產品，也能靈活應對，展現出強大的兼容性。

自動化程度高：現代 CMP 預清洗機通常配備的自動化控制系統，實現了整個清洗過程的全自動化操作。從晶圓的上料到清洗完成、下料，所有步驟都由程序精確控制。這不僅提高了生產效率，減少了人工干預可能帶來的誤差和污染風險，還能實時監測清洗過程中的各項參數，如清洗液的狀態、設備的運行情況等，一旦出現異常能夠及時報警并采取相應的措施。

環保節能：在環保意識日益增強的背景下，CMP 預清洗機在設計上也注重節能減排和資源循環利用。一方面，優化清洗液的配方和循環使用系統，減少清洗液的消耗和排放，降低對環境的影響。另一方面，設備在運行過程中采用節能的設計和技術，如高效的電機驅動系統、智能的溫度控制和能源管理系統等，降低能源消耗，提高設備的能效比。

關鍵詞：芯片自動化控制