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陜西博微電通科技有限責任公司
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| 產地 | 國產 |
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適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET（支持耗盡型產品）、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進行高溫高濕反偏試驗
試驗線路及試驗方法滿足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關標準要求
80 顆/每通道×16 通道＝1280 顆（滿載試驗數量)
半導體高溫高濕反偏實驗系統BW-H3TRB-C16
■每通道為 48 工位，48 工位中每個工位可進行 Tj 測試
■適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET（支持耗盡型）、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進行高溫高濕反偏試驗
■試驗線路及試驗方法滿足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關標準要求
■80 顆/每通道×16 通道＝1280 顆(滿載實驗數量)
■系統平均無問題運行時間≥10000 小時
技術特點 Technical characteristics
■實時監測每個器件的反偏電壓、漏電流；
■Max電壓可達6000V;;
■對于模塊上下橋可同時加電同時監測漏電；
■整個試驗過程的數據(漏電流、反偏電壓、溫度、濕度) 記錄并存儲。并輸出為Excel 報表和繪制全過程漏電流IR 曲線
■設定漏電上限可快速切斷該回路電壓；
■可根據用戶的需求，定制各種老化板及測試程序。
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