蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付，由廣電計量提供專業的檢驗服務。
廣電計量出具的AEC-Q101可靠性試驗報告
蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了 HV-H3TRB可靠性驗證，同時對于應用端特別關注的柵氧可靠性問題，蓉矽的產品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在特定應用場景中，也有優秀的穩定性和可靠性，可滿足新能源汽車、光伏逆變等領域對功率器件的高質量和車規級可靠性要求。
AEC-Q101認證是汽車行業最為核心的國際標準之一，是國際汽車行業通用的技術規范，包括各類環境應力、可靠性、耐久性、壽命測試等，擁有專門的測試要求和判斷標準，廣電計量出具公信力的AEC-Q檢測驗證報告，通過AEC-Q認證代表著器件具有優異品質和高可靠性。蓉矽半導體正在用DFR設計理念，全供應鏈管理體系，完整的質量管理體系向客戶提供高質量、高可靠性SiC功率器件，保證交付的每一個批次、每一顆產品都符合標準要求。
蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，最大可持續電流達75A。
產品特點如下：
1、采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內的電流能力；
2、采用多晶硅網絡優化技術，充分降低柵極內阻，提高器件在開關過程中對輸入電容的充放電速度，降低器件開關損耗；
3、采用結終端優化技術，降低器件在結終端的曲率效應，提高器件耐壓能力；采用開爾文源的PAD設置，降低封裝中的雜散電感；
4、VDD=800V時，短路耐受時間>3μs，TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ；
5、在下圖中，A為外商產品，B為國內廠商產品；所對比產品規格接近，封裝形式皆為TO-247-3L，驅動電壓采用各廠商推薦值，測試結果采用標準化處理且蓉矽產品為“1"。從對比結果可以看出，得益于密勒電容和多晶硅電阻的優化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開關損耗上的表現在所有競品中處于較好水平。
關于蓉矽半導體
成都蓉矽半導體有限公司成立于2019年，是四川省專注碳化硅功率器件設計與開發的高新技術企業，擁有中國臺灣漢磊科技第一優先級產能保障，致力于自主開發的車規級碳化硅器件。
蓉矽半導體設有高性價比“NovuSiC®"和高可靠性“DuraSiC®"產品系列，涵蓋碳化硅二極管EJBS™與碳化硅MOSFET；硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR®，應用于光伏逆變器、儲能、充電樁、OBC及新能源汽車等領域。蓉矽半導體擁有德國萊茵ISO 9001質量管理體系認證，涵蓋設計、晶圓制造和封測等環節，建立了材料、外延、制造與封裝測試均符合IATF 16949的完整供應鏈，嚴格按照AEC-Q101標準考核驗證。在國內投資引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 測試系統，保障碳化硅晶圓出廠質量與可靠性超越行業最高標準。
工業和信息化部“面向集成電路、芯片產業的公共服務平臺"
工業和信息化部“面向制造業的傳感器等關鍵元器件創新成果產業化公共服務平臺"
國家發展和改革委員會“導航產品板級組件質量檢測公共服務平臺"
廣東省工業和信息化廳“汽車芯片檢測公共服務平臺"
江蘇省發展和改革委員會“第三代半導體器件性能測試與材料分析工程研究中心"
上海市科學技術委員會“大規模集成電路分析測試平臺"
在集成電路及SiC領域是技術能力全面、最高的第三方檢測機構之一，已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個型號的芯片驗證，并支持完成多款型號芯片的工程化和量產。
在車規領域擁有AEC-Q及AQG324全部服務能力，獲得了近50家車廠的認可，出具近400份AEC-Q及AQG324報告，助力100多款車規元器件量產。
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