產品介紹:
SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難，其中*要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化*地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。
合能陽光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。
物理性質：
標準參數：
*可以根據客戶需求提供不同品質的晶種。Micropipe密度，標準控制在30/cm2以內，高品質可以控制在5/cm2以內。
技術參數：
■ 系統重復性：300~400nm <0.6%
400~1000nm <0.3%
1000nm以上<0.6%
■ 測試光斑尺寸2mm~10mm
■ 測試速度：單次光譜掃描<1min；
典型客戶:
美國，歐洲，亞洲及國內SiC襯底企業。
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