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藍(lán)寶石缺陷觀測(cè)儀
以上產(chǎn)品可以非常方便的對(duì)藍(lán)寶石晶體及晶片的缺陷進(jìn)行宏觀觀測(cè)。是晶體初期檢測(cè)及篩選的有效手段，為分析缺陷和改進(jìn)工藝提供了高效的工具。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/14 19:00:50 對(duì)比

藍(lán)寶石晶體及晶片的缺陷進(jìn)行宏觀觀測(cè)
硅片表面線痕深度測(cè)試儀（HS-SRT-301）
HS-SRT-301型硅片線痕深度測(cè)試儀可用于測(cè)試硅片的表面線痕深度，具有便于攜帶、觸摸屏便捷操作、液晶顯示、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)內(nèi)置打印機(jī)和充電電池，所有設(shè)計(jì)均符...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/13 8:41:04 對(duì)比

測(cè)試硅片的表面線痕深度
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - HS-MPRT-5
本儀器用來(lái)測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器.本儀器按照半導(dǎo)體材料電阻率的及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計(jì)。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/12 22:27:03 對(duì)比

電阻率方阻測(cè)試儀
HS-ATS-100硅片電池片自動(dòng)測(cè)試架
HS-ATS-100硅片電池片自動(dòng)測(cè)試架是使用單板機(jī)可編程控制，步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，絲桿滑動(dòng)，定位精確，操作方便，可隨意調(diào)節(jié)探頭的下降Z低點(diǎn)，上升Z高點(diǎn)固定，探頭在Z...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/11 23:54:01 對(duì)比

硅片電池片自動(dòng)測(cè)試架
硅片測(cè)厚儀（HS-WTT）
適用于量程范圍內(nèi)的硅片等各種材料的厚度精確測(cè)量
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/5 8:42:52 對(duì)比

硅片厚度
平坦度及表面形態(tài)測(cè)試儀
Tropel®FM200®為精密部件的制造商提供了業(yè)界*的表面形態(tài)測(cè)量。通過非接觸式光學(xué)測(cè)量技術(shù)記錄下整個(gè)表面的數(shù)據(jù)。FM200能夠快速和準(zhǔn)確地...
型號(hào)： FM200 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/5 5:21:42 對(duì)比

藍(lán)寶石晶片測(cè)試平坦度及表面形態(tài)測(cè)試厚度ttv翹曲度
OPT-2000C/M EL缺陷檢測(cè)儀
■適用于電池片和組件，可檢測(cè)缺陷包括：■裂片■微隱裂 ■破洞■斷柵■短路■印刷不良■工藝污染等缺陷。
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/2 7:01:07 對(duì)比

EL缺陷檢測(cè)儀
HS-RW200單多晶硅片無(wú)接觸厚度TTV電阻率型號(hào)測(cè)試儀
產(chǎn)品介紹：HS-RW-200型無(wú)接觸式電阻率型號(hào)厚度綜合測(cè)試儀是基于渦流測(cè)試技術(shù)、電容測(cè)試技術(shù)，能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶片進(jìn)行無(wú)接觸、無(wú)損傷的電阻率、型號(hào)以及厚度測(cè)試，綜...
型號(hào)： RW200 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/5/22 6:19:21 對(duì)比

進(jìn)口無(wú)接觸電阻率型號(hào)厚度
PHY-E280太陽(yáng)能光伏組件缺陷EL檢測(cè)測(cè)試系統(tǒng)
PHYS-E280型光伏組件EL檢測(cè)系統(tǒng)是專門用于組件生產(chǎn)中的組件的裂片、隱裂、破洞、斷柵、單片效率不良、短路、印刷不良、黑心片、焊接缺陷及工藝污染等缺陷檢測(cè)的...
型號(hào)： PHYS-E280 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/4/29 19:04:32 對(duì)比

光伏組件檢測(cè)組件EL檢測(cè)組件缺陷檢測(cè)黑心黑邊片檢測(cè)斷柵污染檢測(cè)
SW-A100晶片定向儀
SW-A100此型儀器是給晶片定向的儀器。用于晶棒切割后，進(jìn)行晶片的角度測(cè)量。采用手工上下晶片，自動(dòng)測(cè)量角度方式，可保證晶體角度測(cè)量的準(zhǔn)確性。為切片工藝控制提供...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2015/12/8 6:44:54 對(duì)比

晶片定向儀
HS-LT300便攜式LED光譜分析儀
手持式LED色彩測(cè)試儀（微型便攜式LED光譜測(cè)試儀）。能準(zhǔn)側(cè)測(cè)量照度，色標(biāo)座，光譜圖，光譜峰值，色溫，CRI，主波長(zhǎng)，CIE1931/CIE 1976色彩坐標(biāo)等...
型號(hào)： HS-LT300 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2015/11/13 19:13:36 對(duì)比

色彩分析
HS-LT300便攜式LED光譜分析儀
手持式LED色彩測(cè)試儀（微型便攜式LED光譜測(cè)試儀）。能準(zhǔn)側(cè)測(cè)量照度，色標(biāo)座，光譜圖，光譜峰值，色溫，CRI，主波長(zhǎng)，CIE1931/CIE 1976色彩坐標(biāo)等...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2015/11/9 3:39:46 對(duì)比

LED色彩分析
NIR-01-3D紅外探傷測(cè)試儀
主要探測(cè)裂縫，黑點(diǎn)，夾雜(通常為SiC)，隱裂，微晶
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2015/9/12 6:38:43 對(duì)比

紅外探傷測(cè)試儀
OWT-200平整度測(cè)試儀
OWT-200才用PHYS*技術(shù)，對(duì)透明、半透明、不透明幾乎所有的材料的厚度，TTV，LTV,彎曲度，平整度進(jìn)行無(wú)接觸測(cè)量，其對(duì)透明、半透明材料的高精度精確測(cè)量...
型號(hào)： OWT-200 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2015/8/18 2:15:55 對(duì)比

藍(lán)寶石碳化硅晶片測(cè)試
HS-MWR-2S-3無(wú)接觸少子壽命掃描儀
HS-MWR-2S-3無(wú)接觸少子壽命掃描儀是一款功能異常強(qiáng)大的無(wú)接觸少子壽命掃描儀，能夠?qū)尉Ч璋簟⒍嗑Ч鑹K及硅片提供快速、無(wú)接觸、無(wú)損傷、高分辨率的多功能掃描...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2015/7/2 9:19:26 對(duì)比

少子壽命
HS-CA2半自動(dòng)硅片厚度TTV測(cè)試儀
適用于硅片等各種材料的厚度TTV精確測(cè)量
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2015/6/22 5:45:47 對(duì)比

硅片厚度TTV測(cè)試儀
HS-MWR-SIM無(wú)接觸少子壽命測(cè)試儀
HS-MWR-SIM無(wú)接觸少子壽命測(cè)試儀是一款功能強(qiáng)大的無(wú)接觸少子壽命測(cè)試儀，能夠?qū)尉Ч璋簟⒍嗑Ч鑹K及硅片提供快速、無(wú)接觸、無(wú)損傷單點(diǎn)少子壽命測(cè)試，其通過微波...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2015/6/10 9:41:45 對(duì)比

少子壽命測(cè)試
HS-T50無(wú)接觸厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng)
HS-T50無(wú)接觸厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng)是一款廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池片制造過程中對(duì)表面厚度TTV電阻率無(wú)損測(cè)量的專業(yè)儀器。該儀器適用于Si，GaAs，InP...
型號(hào)：所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2014/12/29 12:31:30 對(duì)比

無(wú)接觸厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng)

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