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北京中科博達儀器科技有限公司
簡要描述:安全實用真空高溫烘箱內箱材質為3mm厚優質不銹鋼拉絲板經拋光處理,加強脛進行加固。外箱材質為1.2mm厚優質冷軋鋼板經表面特殊處理后靜電噴涂而成。
真空高溫烘箱的必要性:
在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。
真空高溫烘箱一般工作流程:
首先確定工作溫度。典型的預處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內真牢度達到某一高真空度后,開始充人氮氣,充到達到某低真空度后,冉次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入HMDS氣體,在到達設定時間后,停止充入HMDS藥液,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業過程。HMDS與硅片反應機理如圖:首先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS與表面的OH一反應,在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而極性表面變成非極性表面。整個反應持續到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應。
尾氣排放等:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。
真空高溫烘箱特點:
美觀耐用性:內采用SUS不銹鋼,外采用A3鋼板,噴塑處理;
使用安全性:加厚的保溫層,良好的保溫性能,隔熱、節能;
控制穩定性:智能微電腦控制儀表,數字顯示,控溫精度高、準確;
高性能:巧妙的風道設計,溫度均勻度高;
實用性:強力門扣加特制的密封材質,確保箱內密封效果優良;
可靠性:完善的安全保護裝置,適合長期連續運行。
真空高溫烘箱箱體結構:
1)本設備由室體、真空系統、保護系統、電氣控制系統等組成
2)箱體采用*的機械設備制作、工藝*、線條流暢,美觀大方
3)內箱材質為3mm厚優質不銹鋼拉絲板經拋光處理,加強脛進行加固。外箱材質為1.2mm厚優質冷軋鋼板經表面特殊處理后靜電噴涂而成。
4)門與門框之間采用高性能密封材料及的硅橡膠密封結構,密封、抗老化性好。
5)箱內設有不銹鋼活動樣品架,可拆卸易清洗。
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