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上海昊量光電設備有限公司
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寬波段近紅外模塊（1000nm~1900nm）它被連接到光電二極管探測器陣列上
寬波段近紅外模塊（1000nm~1900nm）
它被連接到光電二極管探測器陣列上。光通過300/330μm的二氧化硅和入口狹縫耦合進入光譜儀。光由光譜儀腔內的全反射引導。光譜儀本身是一個微模壓的整體器件，包括入口狹縫、聚焦凸面平場和相機反射鏡。這些元素被安排在羅蘭的設計中。
利用LIGA技術復制光學表面質量的微結構。整體羅蘭設計保證了*的機械，熱和光學穩定性。由于光學元件的幾何位置固定，波長定標幾乎沒有熱漂移。波長到像素的校準功能在產品的使用壽命內是穩定的，不需要任何重新校準。低重量和整體設計使它不敏感的機械和振動應力。制造工藝和所選材料的使用確保了良好的抗熱應力和苛刻的環境條件。
aMSM NIR 256微光譜儀采用Hamamatsu G13913-1349 InGaAs光電二極管陣列。可以提供兩個不同的光譜范圍選擇，1.7版本覆蓋900nm~1700nm，1.9版本覆蓋1000nm~1900nm。在此基礎上增加了檢測范圍寬度，可以檢測的物質也隨之增加。
INSION設計的新一代NIR系統。由于改進的單片設計，出色的光學特性以及小尺寸，在各種新的和常見的應用中開辟了可能性。它們非常適合用于分析和診斷手持設備，由于具有良好的儀器間協議，因此具有很高的成本效益。典型的應用范圍從儀器分析，生物和臨床系統的物質鑒定和農業和營養產品的分析。
主要參數：
| aMSM NIR 1.7 NT 256 | aMSM NIR 1.9NT 256 | |
| 光譜范圍 | 900nm ~ 1700nm | 1000nm ~ 1900nm |
| 光譜分辨率（FWHM） | 10nm（4.1nm像素間隔） | 10nm（4.1nm像素間隔） |
| 光譜準確度 | 2nm | 2nm |
| 光譜重復性 | ≤0.1nm | ≤0.1nm |
| 靈敏度 | >150E12 cts*nm/Ws @ 1500nm | >150E12 cts*nm/Ws @ 1500nm |
| 溫度漂移 | ＜0.05nm/K | ＜0.05nm/K |
| 探測器 | InGaAs陣列探測器， 256像元 | InGaAs陣列探測器， 256像元 |
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