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Leica EM Res102 多功能離子減薄儀

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產(chǎn)品簡介

使用徠卡 EM RES102,使您的樣品具備的靈活性,具有輕薄、清潔、拋光、切割的坡度和結(jié)構(gòu)。的離子束研磨系統(tǒng)結(jié)合了在一個(gè)單工作臺面單元上制備TEM、SEM和LM樣品的特點(diǎn)。各種樣品架可以進(jìn)行多元化應(yīng)用。除了高能量的離子銑工藝,徠卡EM RES102也可適于采用低離子能量處理非常柔軟的樣本。

詳細(xì)介紹

的解決方案

Leica EM RES102是一款的離子束研磨設(shè)備,帶有兩個(gè)鞍形場離子源,離子束能量可調(diào),以獲得離子研磨結(jié)果。這一款獨(dú)立的桌面型設(shè)備集 TEM,SEM和LM樣品制備功能于一體,這與市面上其它設(shè)備截然不同。除了高能量離子研磨功能外,徠卡EM RES102還可 用于低能量極溫和的離子束研磨過程。

  • TEM 樣品:
    • 單面或雙面離子束研磨適用于材料的離子束減薄過程。鞍形場離子源可獲得很大的電子束透明薄區(qū)。
    • 程序化控制的離子入射角度變化,適用于完成特殊的樣品制備目的,例如FIB樣品清潔,以減少無定形非晶層。
  • SEM 或 LM 樣品:
    • 離子束拋光拋光區(qū)域可達(dá)25mm。
    • 離子束清潔適用于對樣品表面污染層或機(jī)械拋光后表面產(chǎn) 生的涂抹層進(jìn)行清潔。
    • 樣品表面襯度增強(qiáng)作用,可替代化學(xué)刻蝕作用。
    • 35°斜坡切割用于制備多層樣品的截面。
    • 90°斜坡切割用于制備復(fù)合結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體樣品或組裝器件,這種方式所需的機(jī)械預(yù)加工工作最少。

為了支持多樣化的應(yīng)用需求,Leica EM RES102 可以裝配各種樣品臺以適用于TEM,SEM及LM 樣品制備。預(yù)抽室系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)樣品快速交換,從而可有效提高樣品交換效率 。

帶給您的好處

Leica EM RES102 可對樣品進(jìn)行離子束減薄,清潔,截面切割,拋光以及襯度增強(qiáng),這極大滿足了您對應(yīng)用需求的多樣化和便利性。

  • 操作簡便
    • 19”觸摸屏電腦控制單元,監(jiān)控并記錄制樣過程
    • 內(nèi)置應(yīng)用參數(shù)庫
    • 程序化制樣參數(shù)設(shè)定,加速初學(xué)者學(xué)習(xí)曲線
    • 幫助文件幫助初學(xué)者以及對設(shè)備進(jìn)行維護(hù)
  • 高效/節(jié)約成本
    • TEM,SEM和LM應(yīng)用功能集于一體
    • TEM樣品制備獲得的薄區(qū)大,有效提高了TEM樣品制備效率
    • SEM樣品制備可達(dá)25mm樣品直徑
    • 預(yù)抽室系統(tǒng)幫助快速交換樣品,減少等待時(shí)間,并保證了樣品室的持續(xù)高真空
    • 局域網(wǎng)功能方便遠(yuǎn)程操控
    • LN2樣品臺使得溫度敏感型樣品可在優(yōu)化條件下進(jìn)行離子研磨
  • 安全
    • 精確的自動終止功能,適用于光學(xué)終止或透明樣品的法拉第杯終止
    • 在制樣過程中可以時(shí)時(shí)存儲活圖像或視頻
    • 離子源和樣品運(yùn)動馬達(dá)驅(qū)動,程序化控制,因而可獲得重復(fù)性制樣結(jié)果

主要功能

對無機(jī)薄片樣品進(jìn)行離子減薄,使得薄片樣品可被透射電子穿過,從而適宜TEM透射電子顯微鏡觀察;對無機(jī)塊狀樣品進(jìn)行離子束拋光、離子束刻蝕,樣品表面離子清洗及斜坡切割,便于SEM掃描電子顯微鏡觀察樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息。

優(yōu)異性價(jià)比

一臺設(shè)備即可為TEM、SEM、LM電鏡檢測提供試樣,多種應(yīng)用功能集于一體,高效并節(jié)約成本安全;所有機(jī)械控制、樣品移動實(shí)現(xiàn)全自動化,可獲得重復(fù)性制樣結(jié)果分段冷卻;對溫度敏感樣品得到充分保護(hù),在優(yōu)化條件下進(jìn)行離子研磨,保持樣品的原生態(tài)操作簡便;內(nèi)置應(yīng)用參數(shù)庫,幫助文件,無論是初學(xué)者還是后期維護(hù)都十分簡單。

儀器參數(shù)
離子源 離子槍 兩把鞍形場離子槍,離子研磨區(qū)域大
離子能量 0.8 kev 至 10 kev (0.1keV每步)
離子束流 4.5 mA (每把離子槍)
離子束流密度 8kV/3mA條件下約1mA/cm2(每把離子槍)
離子束半高寬FWHM 10keV 條件下0.8mm,2keV 條件下2.5mm
使用氣體

氬氣 (Ar 5.0)

進(jìn)氣氣壓 500 mbar

氣體流速 每把離子槍小于1 sccm,自動控制
傾斜角度設(shè)定(電腦控制) 離子槍1傾斜 ± 45°(精確度為0.1°)
離子槍2傾斜 ± 45°(精確度為0.1°)
樣品臺傾斜范圍 –230° 至 100°(精確度為0.1°)
離子研磨角度范圍 –90° 至 90° (角度與不同樣品臺有關(guān))
樣品移動范圍(電腦控制) 旋轉(zhuǎn)速率 0.6 至 10 rpm
擺動范圍 360°,每步1°
零位設(shè)置 每步1°
X方向移動 ±5mm,精確度0.1mm
傾斜范圍 -230°至 100°
裝載樣品尺寸 SEM樣品臺樣品尺寸 Ø 25 mm × 12 mm
SEM樣品臺離子研磨區(qū)域 Ø 25 mm
TEM和FIB樣品臺樣品尺寸 Ø 3 mm 或 Ø 2.3 mm
SEM薄片樣品臺樣品尺寸 5 mm (H) × 7 mm (W) × 2 mm (D)
SEM斜坡切割樣品臺樣品尺寸 5 mm (H) × 5 mm (W) × 3 mm (D)
冷凍裝置 (選配) 自動液氮制冷接觸裝置
自動加熱裝置避免潮濕污染樣品
LN2 消耗量 約0.6L/h
操作控制(用戶界面) Windows 7操作系統(tǒng),19英寸觸摸屏電腦控制
具有局域網(wǎng)遠(yuǎn)程控制和監(jiān)視功能
內(nèi)置應(yīng)用程序庫
可個(gè)性化修改和存儲離子研磨參數(shù),單個(gè)程序使用或者組合程序序列
真空系統(tǒng) 無油真空系統(tǒng),<1×10-5mbar,配置4段式隔膜泵和渦輪分子泵(70 L/s)
配置預(yù)抽真空室,樣品交換時(shí)間小于1分鐘
真空檢測 全程范圍真空檢測,Pirani真空計(jì)檢測低真空,冷陰極檢測高真空
觀察系統(tǒng) 數(shù)字CMOS彩色攝像頭,帶自動放大觀察功能,自動光圈調(diào)整和自動聚焦
可實(shí)時(shí)存儲圖像和錄像
離子束感光功能(偽彩色圖像),用于精確調(diào)整離子槍對中
自動終止離子束加工過程 通過時(shí)間終止
對于不透明樣品的光學(xué)終止
對于不透明和透明樣品的法拉第杯終止(選配)
電氣參數(shù) 電壓 90至260 VAC, 50/60 Hz
功率 400 W

 

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