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湖南頂立科技有限公司
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真空晶體生長爐主要用于碳化硅、硒化鋅等晶體的生長
采用*的控制技術，能精密控制爐內壓力，爐膛內壓力波動小；
采用動密封技術，能精密控制坩堝移動與旋轉；
采用特殊結構設計，能有效控制籽晶位置；
采用特殊的爐膽結構和加熱器布置，經溫場模擬計算，能有效控制爐內溫場分布；
具備柔性抽真空、爐內分壓控制等功能；
采用*的隔熱結構和材料，爐膽隔熱性能好、蓄熱少，
采用特殊的高溫紅外測量技術，控溫準確，誤差小。
| 型號/參數 | VCG-4 | VCG-6 | VCG-8 |
| 產品尺寸 | 4英寸 | 6英寸 | 8英寸 |
| 溫度（℃） | 2400-2600 | 2400-2600 | 2400-2600 |
| 溫度均勻性（℃） | ±5 | ±5 | ±5 |
| 極限真空度（Pa） | 10-5-10-3 | 10-5-10-3 | 10-5-10-3 |
| 壓升率（pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
結構形式：上出料/下出料
爐門鎖緊方式：手動/自動
爐殼材質：內層不銹鋼/全碳鋼/全不銹鋼
保溫材質：高純碳氈/石墨氈/固化氈
加熱器：等靜壓石墨/金屬
熱電偶：C/K/N/S分度號
紅外儀：單比色/雙比色
適于工藝氣氛：N2/Ar/H2
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