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多晶硅少子壽命測試儀

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產(chǎn)品簡介

HZ-L22多晶硅少子壽命測試儀、少子壽命測試儀、少子壽命測試儀價(jià)格、單晶多少子壽命測試儀一、多金硅少子壽命測試儀產(chǎn)品特點(diǎn)：1、可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命

詳細(xì)介紹

HZ-L22多晶硅少子壽命測試儀、少子壽命測試儀、少子壽命測試儀價(jià)格、單晶多少子壽命測試儀

一、多金硅少子壽命測試儀產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進(jìn)行測量。 2、可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。 3、液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形。
二、多金硅少子壽命測試儀技術(shù)參數(shù)：
配置兩種波長的紅外光源 1、1.07μm波長紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。 2、0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。三、多金硅少子壽命測試儀測量范圍： 1、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω·㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。 2、拋光面：電阻率在0.1～0.01Ω·㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。四、多金硅少子壽命測試儀壽命可測范圍： 1、分體式：2μS—10ms 2、一體式：0.5μS—20ms