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GSL-CKJS-450-B1磁控濺射

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沈陽科晶自動化設備有限公司

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產品簡介

GSL-CKJS-450-B1磁控濺射

詳細介紹

產品簡介：高真空濺射可用于金屬、半導體、絕緣體等多種新型薄膜材料的制備，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，可廣泛用于大專、科研院所的薄膜材料研究、制備。

產品型號	GSL-CKJS-450-B1磁控濺射
安裝條件	本設備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水：設備配有自循環冷卻水機（加注純凈水或者去離子水） 2、電：AC380V 50Hz，必須有良好接地 3、氣：設備腔室內需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備實驗氣體氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥 4、場地：設備尺寸3500×1600mm，承重1000kg以上 5、通風裝置：需要
主要特點	1、真空度高。 2、可制備多種薄膜，金屬、半導體、絕緣體等，應用廣泛。 3、體積小，操作簡便。 4、清理安裝便捷。 5、控制可選一體化觸摸屏控制
技術參數	1、主濺射室尺寸：Ø450×355mm筒形真空室 2、主濺射室真空度：5×10-5Pa 3、永磁靶3套，靶材尺寸φ2″，各靶射頻與直流濺射兼容（其中1個靶可濺射鐵磁材料），靶與樣品距離90-110mm可調 4、三靶共濺，三個靶可共同折向樣品中心，距離40-80mm可調 5、基片加熱與水冷獨立工作，加熱爐可與水冷樣品臺可互換，加熱工位溫度 600℃±1℃ 6、樣品尺寸：φ1″ 7、樣品臺可連續回轉，轉速5-15轉/分 8、基片可加-200V負偏壓 9、公轉6工位樣品臺，可一次性安裝6片φ1″基片，拆下水冷加熱樣品臺可換上6工位樣品臺，其中5個工位為自然冷卻工位，1個加熱工位，加熱工位溫度 600℃±1℃
產品規格	整機尺寸：1500×900mm×2000mm；
標準配件	1	電源控制系統	1套
	2	真空獲得系統	1套
	3	真空測量裝置	1套