當(dāng)前位置：深圳維爾克斯光電有限公司>>Opto Diode光電探測(cè)器>>集成薄膜濾光片的光電二極管

集成薄膜濾光片的光電二極管

返回列表頁(yè)

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品牌

廠(chǎng)商性質(zhì)其他

所在地

在線(xiàn)詢(xún)價(jià) 收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話(huà)

聯(lián)系方式：查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2024-02-07 13:52:33瀏覽次數(shù)：123次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自環(huán)保在線(xiàn)

產(chǎn)品分類(lèi) 品牌分類(lèi)

  Opto Diode光電探測(cè)器

全部產(chǎn)品列表

暫無(wú)信息

深圳維爾克斯光電有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：其他

商鋪產(chǎn)品：648條

所在地區(qū)：

詢(xún)價(jià) 給他留言

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

OptoDiode濾光片光電二極管有效面積是100mm2，檢測(cè)范圍是1-80nm。集成薄膜濾光片的光電二極管采用薄膜沉積工藝，用于檢測(cè)太陽(yáng)EUV輻射、軟X射線(xiàn)輻射測(cè)量、X射線(xiàn)和EUV光刻、X射線(xiàn)顯微鏡和XUV光譜

詳細(xì)介紹

AXUV100TF030光敏二極管，薄膜沉積工藝

集成薄膜濾光片的光電二極管存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C，在氮?dú)饣蛘婵帐?span>-20°C至80°C，引線(xiàn)焊接溫度是260°C。

OptoDiode生產(chǎn)集成薄膜濾光片，用于檢測(cè)太陽(yáng)EUV輻射、軟X射線(xiàn)輻射測(cè)量、X射線(xiàn)和EUV光刻、X射線(xiàn)顯微鏡和XUV光譜。美國(guó)OptoDiode還生產(chǎn)光學(xué)濾光片窗口、日光濾光片和多波長(zhǎng)封裝組件。

OptoDiode集成薄膜濾光片光敏二極管檢測(cè)范圍是1-80nm，有效面積是100mm2，發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩，可以避免元件受損。美國(guó)集成薄膜濾光片的光電二極管用于電子檢測(cè)，電壓直流反向值10伏，靈敏度0.09-0.15A/W，波長(zhǎng)范圍是3-40nm。OptoDiode濾光片光電二極管采用薄膜沉積工藝。

OptoDiode集成薄膜濾光片光敏二極管的型號(hào)

型號(hào)	零件編號(hào)	描述	有效面積mm2	響應(yīng)率（A/W）	波長(zhǎng)（nm）	檢測(cè)范圍（nm）
AXUV100TF030	ODD-AXU-019	帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管	100	0.16	3	1-12
AXUV100TF400	ODD-AXU-002	帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管	100	0.15	40	18-80
SXUV100TF135	ODD-SXU-013	帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管	100	0.09	13.5	12-18

AXUV100TF400光敏二極管的特點(diǎn)

- 100平方毫米的有效面積

- 波長(zhǎng)40納米靈敏度為0.15 A/W

- 檢測(cè)范圍：18納米至80納米

- 發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩

AXUV100TF400光敏二極管10mmx10mm測(cè)試條件下，有效面積的典型值是100mm2。在40nm波長(zhǎng)下靈敏度典型值是0.15A/W。當(dāng)VR為±10mV時(shí)，分流電阻最小值為20歐姆，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值是10V。VR=0V時(shí)，電容的典型值是10nF,值是44nF。

AXUV100TF030光敏二極管的特點(diǎn)

- 100平方毫米的有效面積

- 3納米處的靈敏度為0.16 A/W

- 檢測(cè)范圍：1納米至12納米

- 發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩

AXUV100TF030光敏二極管在25°C時(shí)的電光特性如下。在10mmx10mm測(cè)試條件下，有效面積的典型值是100mm2。在3nm波長(zhǎng)下靈敏度典型值是0.16A/W。當(dāng)VR為±10mV時(shí)，分流電阻最小值為20歐姆，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值是10V。VR=0V時(shí)，電容的典型值是10nF,值是44nF。

從典型的靈敏度圖可以看到從波長(zhǎng)5nm開(kāi)始靈敏度隨著波長(zhǎng)的增加而減小。

SXUV100TF135光敏二極管的特點(diǎn)

- 100平方毫米的有效面積

- 在13.5納米處?kù)`敏度為0.09 A/W

- 探測(cè)范圍12納米至18納米

- 發(fā)貨時(shí)帶有保護(hù)罩

SXUV100TF135光敏二極管在10mmx10mm測(cè)試條件下，有效面積的典型值是100mm2。在13.5nm波長(zhǎng)下靈敏度最小值是0.08A/W，典型值是0.09A/W，值0.1A/W。當(dāng)VR=15V時(shí)，暗電流典型值是8nA，值是25nA。當(dāng)IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是25V。VR=0V時(shí)，電容的最小值是0.8nF，典型值是1nF，值是1.2nF。VR=12V時(shí)，電容的最小值是220pF，典型值是260pF，值是350pF。當(dāng)RL=50Ω, VR=12V時(shí)，上升時(shí)間的典型值是30納秒。從波長(zhǎng)與靈敏度的關(guān)系圖中可以看到在集成濾光片在13.5nm波長(zhǎng)后靈敏度的值是下降的。