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1900nmLED發(fā)光二極管

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更新時間：2024-02-07 10:00:34瀏覽次數(shù)：110次

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深圳維爾克斯光電有限公司

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產(chǎn)品簡介

1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺樹脂SMD 封裝(PA9T)。Roithner 1900nmLED發(fā)光二極管帶有1000x1000μm的砷化鎵芯片（InGaAs chip）。

詳細(xì)介紹

PA9T SMD封裝的Roithner發(fā)光二極管，1900nm波長，30mW高功率

1900nm發(fā)光二極管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺樹脂SMD 封裝(PA9T)。Roithner 1900nmLED發(fā)光二極管帶有1000x1000μm的砷化鎵芯片（InGaAs chip）。砷化鎵芯片技術(shù)以及采用耐熱聚酰胺 (PA9T) SMD封裝，底座尺寸均為5x5mm。該產(chǎn)品有SMB1N系列一如既往的的高功率。

SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面貼裝高功率紅外高功率LED，典型峰值波長為1900nm，光輸出功率為27mW@1A。Roithner 高功率發(fā)光二極管采用聚酰胺樹脂 SMD 封裝 (PA9T)，帶有鍍銀焊盤（可無鉛焊接）、銅散熱器和硅樹脂模壓平窗。SMB1N-1900D-02的光輸出功率為30mW@1A。1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不僅采用聚酰胺樹脂SMD封裝(PA9T)，帶有鍍銀焊盤（可無鉛焊接）、銅散熱器和硅樹脂模制透鏡，還可根據(jù)要求提供不同光束角度的其他變體。

Roithner LED SMB1N-1900D與SMB1N-1900D-02的區(qū)別是SMB1N-1900D-02含有透鏡，從而導(dǎo)致其光束角為±9°，而SMB1N-1900D的光束角為±64°。

Roithner 1900nm LED的主要特點(diǎn)：

-紅外高功率LED

-特定波長1900nm，光輸出功率27mW（SMB1N-1900D）或30mW（SMB1N-1900D-02）

-砷化鎵芯片（InGaAs chip），1x1mm

- PA9T SMD 封裝

-光束角±64°（SMB1N-1900D）或±9°（SMB1N-1900D-02）

1900nmLED發(fā)光二極管的額定值*：

參數(shù)	符號	最小值	值	單位
功率耗散	P_D		1600	mW
正向電流	I_F		1000	mA
脈沖正向電流**	I_FP		2000	mA
反向電壓	U_F		2	V
熱阻	R_THJA		10	K/W
結(jié)溫	T_J		120	°C
工作溫度	T_CASE	-40	+85	°C
存儲溫度	T_STG	-40	+100	°C
引線焊接溫度 (t_max.5s)	T_SLD		+250	°C

*接近或超過這些參數(shù)的操作可能會損壞設(shè)備

**占空比=1%，脈沖寬度=10μs

1900nm高功率LED電子光學(xué)特性（T_CASE = 25°C）：

參數(shù)	符號	條件	最小值	典型值	值	單位
峰值波長	λ_P	I_F=1 A	1850		1950	nm
半寬	λ_Δ	I_F=1 A		120		nm
正向電壓	V_F	I_F=1 A		1.2	1.6	V
正向電壓	V_FP	I_FP=2 A*		1.6		V
總輻射功率	P_O	I_F=1 A	18	27		mW
總輻射功率	P_O	I_F=2 A*		47		mW
輻射強(qiáng)度	I_E	I_F=1 A		/		mW/sr
輻射強(qiáng)度	I_E	I_F=2 A*		/		mW/sr
視角	2θ_1/2	I_F=100 Ma		128		deg.
上升時間	t_r	I_F=1 A		90		ns
下降時間	t_f	I_F=1 A		30		ns