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六硼化鑭掃描電子顯微鏡

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更新時間：2023-06-15 17:39:38瀏覽次數(shù)：225次

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產(chǎn)品簡介

性能指標電鏡分辨率:2.0nm@30kV；5.0nm@3kV加速電壓:200V～30kV束流大小:1pA-2A景深：可達7mm電鏡檢測器:高真空二次電子檢測器(SE)、馬達驅動可伸縮式背散射電子探測器(BSE)（用于高真空和低真空）、低真空二次電子探測器（LVSTD,upto500Pa）樣品室紅外CCD探測器

詳細介紹

性能指標

電鏡分辨率: 2.0nm @ 30kV；5.0nm @ 3kV
加速電壓: 200V～30kV
束流大小: 1pA-2μA
景深：可達7mm
電鏡檢測器: 高真空二次電子檢測器(SE)、馬達驅動可伸縮式背散射電子探測器(BSE)（用于高真空和低真空）、低真空二次電子探測器（LVSTD, up to 500 Pa）樣品室紅外CCD探測器。
能譜： Oxford AZtec MaxN-80

主要應用

VEGA 3 – XMU (LaB6)型掃描電子顯微鏡兼具高、低真空兩種模式，適用于導電材料和非導電材料表面形貌的觀察，獲得表面形貌的二次電子像、背散射電子像。
擁有加強景深顯示模式，景深可達7mm以上，專門用于觀察高低落差大的樣品，比如金屬斷口、失效分析等。

樣品要求

樣品不得為具有磁性的粉末，并且不易被磁化，粉末中不得含有鐵（Fe）、鈷（Co）、鎳（Ni）。
樣品中不得含有水分。
樣品高度小于80mm，直徑小于130mm。
多孔類或易潮解的樣品，請?zhí)崆罢婵崭稍锾幚怼?
樣品應具有導電性。若樣品不導電，需要進行鍍金、碳等導電膜的處理（本中心也提供鍍膜服務，但需要另行收費）。

儀器說明

VEGA 3 XMU (LaB6) 采用介于肖特基與鎢燈絲性能之間的LaB6（六硼化鑭）作為電子發(fā)射源。
LaB6的優(yōu)勢包括：比場發(fā)射電子源更穩(wěn)定的電子發(fā)射源，在陰極較低溫度下可獲取比鎢燈絲電子源更高的束流，因此在各個不同加速電壓下和整個使用壽命中，LaB6都可以保持很高的亮度和分辨率。
配備能譜，可做常規(guī)元素分析。

關鍵詞：掃描電子顯微鏡

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