單晶硅清洗用水設備-北京多晶硅清洗用水設備

　　連續電除鹽(EDIElectro-de-ionization)技術是二十世紀八十年代以來逐漸興起的新技術。經過十幾年的發展，EDI技術已經在電子、制藥和發電等行業被廣泛的應用。超純水設備將離子交換樹脂充夾在陰/陽交換膜之間形成EDI單元，利用陰離子交換膜只允許陰離子透過，不允許陽離子透過，而陽離子交換膜只允許陽離子透過，不允許陰離子透過的特性，在直流電的推動下，使淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室而被從淡水中去除，從而得到超純水。

　　超純水設備優點

　　1、連續運行，產品水質穩定。

　　2、無須用酸堿再生。

　　3、不會因再生而停機。

　　4、節省了反沖和清洗用水。

　　5、以高產率產生超純水。

　　6、無再生污水，不須污水處理設施。

　　7、無須酸堿儲備和酸堿稀釋運輸設施。

　　8、減小車間建筑面積。

　　9、使用安全可靠，避免工人接觸酸堿。

　　10、減低運行及維修成本。

　　11、安裝簡單、安裝費用低廉。

　　超純水設備進水條件

　　氧化劑：活性氯(Cl2)小于0.05ppm，建議檢測不出;臭氧(O3)小于0.02ppm，建議檢測不出。

　　重金屬離子：小于0.01ppmFe、Mn、變價性金屬離子。

　　硅：小于0.5ppm，反滲透RO產水典型范圍是50～150ppb。

　　總CO2：小于5ppm，高于10ppm時，產水品質很大程度依賴于CO2水平和pH值。

　　顆粒：建議直接采用反滲透RO產水，或經1um濾芯過濾后的產水進入EDI系統。

　　水源：反滲透RO產水，電導率：1-20S/cm。電導率：2-10S/cm，導電率：50S(NaCl)。PH值：5.5～9.5(pH7.0至8.0之間EDI有電導率性能)。

　　溫度：15～35℃，溫度在25℃。

　　進水壓力：0.20～0.4MPa，D1端壓力比C1端壓力高0.05～0.1MPa，模塊壓力將取決于流量和溫度。

　　出水壓力：產水端(D2)壓力比濃水端(C2)壓力高0.05～0.1MPa。

　　硬度：小于1.0ppm(在90%回收率時)，以CaCO3計。

　　有機物：TOC小于0.5ppm，建議檢測不出。