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半導體清洗用超純水設備工作原理

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更新時間:2022-05-23 12:10:57瀏覽次數:343次

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半導體清洗用超純水設備工作原理  海德能北京水處理公司生產的半導體清洗用超純水設備,根據不同地區的不同水質,保證了超純水設備的出水質量。半導體清洗用超純水設備采用
半導體清洗用超純水設備工作原理
  海德能北京水處理公司生產的半導體清洗用超純水設備,根據不同地區的不同水質,保證了超純水設備的出水質量。半導體清洗用超純水設備采用*的不銹鋼材質,抗腐蝕能力強,同時也不會出現生銹問題,質量可靠,受到用戶的*。
  一、半導體清洗用超純水設備工作原理
  EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰/陽離子交換膜之間形成EDI單元。EDI工作原理如下圖所示。EDI組件中將一定數量的EDI單元間用網狀物隔開,形成濃水室。又在單元組兩端設置陰/陽電極。在直流電的推動下,通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室而在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統,成為濃水.EDI設備一般以反滲透(RO)純水作為EDI給水。RO純水電導率一般是40-2μS/cm(25℃)。EDI純水電阻率可以高達18MΩ.cm(25℃),但是根據去離子水用途和系統配置設置,EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18.2MΩ.cm(25℃)的純水。

  二、半導體清洗用超純水設備制備工藝
  1、預處理系統→反滲透系統→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水點。(≥18MΩ.CM)(傳統工藝)
  2、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點。(≥18MΩ.CM)(工藝)
  3、預處理→一級反滲透→加藥機(PH調節)→中間水箱→第二級反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點。(≥17MΩ.CM)(工藝)
  4、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點。(≥15MΩ.CM)(工藝)
  5、預處理系統→反滲透系統→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水點。(≥15MΩ.CM)(傳統工藝)
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