TheME2306AistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistors,usinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology
The ME2306A is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.
These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone, notebook computer power management and other battery powered circuits, and low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.
ME2306A是N通道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝道技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。
這些設備特別適用于低電壓應用，如蜂窩電話、筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，以及非常小的外形表面安裝包所需的低內聯功耗。
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● RDS(ON)≦32m?@VGS=10V
● RDS(ON)≦38m?@VGS=4.5V
● RDS(ON)≦50m?@VGS=2.5V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current
MOS管應用領域：
●筆記本中的電源管理
●便攜式設備
●電池供電系統
●DC/DC轉換器
●負荷開關
●差示掃描量熱儀
●液晶顯示逆變器
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