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中國(guó)臺(tái)灣松木MOS管 ME50N10AT數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)ME50N10AT中文資料pdf

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產(chǎn)品型號(hào)ME50N10AT

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更新時(shí)間：2022-03-24 11:03:02瀏覽次數(shù)：130次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

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商鋪產(chǎn)品：523條

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TheME50N10AT-GistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細(xì)介紹

The ME50N10AT-G is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching,ａnd low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應(yīng)用：

●筆記本中的電源管理

●DC/DC轉(zhuǎn)換器

●負(fù)荷開(kāi)關(guān)

●液晶顯示逆變器

● RDS(ON)≦40mΩ@VGS=10V

● RDS(ON)≦60mΩ@VGS=4.5V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關(guān)鍵詞：負(fù)荷開(kāi)關(guān) 逆變器