<thead id="9y5x0"></thead>

當(dāng)前位置：深圳市泰德蘭電子有限公司>>TO-220>>中國(guó)臺(tái)灣松木MOS管 MEE3710T數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)MEE3710T中文資料pdf

中國(guó)臺(tái)灣松木MOS管 MEE3710T數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書(shū)MEE3710T中文資料pdf

返回列表頁(yè)

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)MEE3710T

品牌

廠商性質(zhì)代理商

所在地

在線詢價(jià) 收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2022-03-24 10:57:49瀏覽次數(shù)：186次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  TO-220

全部產(chǎn)品列表

暫無(wú)信息

深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：523條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

詢價(jià) 給他留言

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TheMEE3710TisaN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors,usingForce-MOSpatentedExtendedTrenchGate(ETG)technology

詳細(xì)介紹

The MEE3710T is a N-Channel enhancement mode power field effect transistors,using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG)technology.This advanced technology is especially tailored to minimize on state resistance and gate charge, and enhance avalanche capability.These devices are particularly suited for medium voltage application such as charger, adapter,notebook computer power management and other lighting dimming powered circuits,ａnd low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.

應(yīng)用：

●電源管理

●同步整流

●負(fù)荷開(kāi)關(guān)

● RDS(ON)≦23mΩ@VGS=10V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關(guān)鍵詞：負(fù)荷開(kāi)關(guān)