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縫隙腐蝕檢測實驗方法有哪些

閱讀:35發布時間:2024-8-31

  縫隙腐蝕檢測實驗方法有哪些,采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽極極化曲線特定區間的各種試驗溶液,利用金屬的晶粒和晶界在該電位區間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過對材料的應力腐蝕檢測,能快速了解材料的化學成分、熱處理和加工工藝是否合理 。
 
  鉻鎳奧氏體不銹鋼在使用前或從冶煉廠出廠時大多經過固溶處理。不銹鋼加熱至高溫(約1000 ~ 1150°C,視鋼材類型而定),保溫后迅速冷卻(一般為水冷卻)。此時,Cr - Ni奧氏體不銹鋼中的碳含量大于0.02 ~ 0.03%(隨鋼中Ni含量的不同而變化)時,鋼中的碳處于過飽和狀態。隨后,在不銹鋼的加工和制造和使用的設備和組件,如果需要加熱的敏化溫度450 ~ 850°C(如焊接或使用在這個溫度范圍內),鋼中的過飽和碳將擴散到晶界,與附近的鉻沉淀并形成碳化鉻。
 
  根據稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導致晶界處銅含量較低。
 
  σ相晶間沉淀理論:對于低碳高鉻高鉬不銹鋼,不存在鉻不良條件,但在650 ~ 850℃熱處理時,會形成42 ~ 48%的鉻σ相FeCr金屬間化合物。在過鈍化電位下,相腐蝕嚴重。陽極溶解電流急劇上升。σ可能是相本身的選擇性溶解。σ相FeCr金屬間化合物只能溶解在強氧化介質中。因此,必須用65%的強氧化沸騰硝酸檢測這類腐蝕,使不銹鋼的腐蝕電位達到過鈍化區。
 
  晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此,晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因為晶界的能量高,原子處于不穩定狀態。
 
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