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不銹鋼臨界縫隙腐蝕溫度檢測(cè)服務(wù)

閱讀:29發(fā)布時(shí)間:2024-8-10

  不銹鋼臨界縫隙腐蝕溫度檢測(cè)服務(wù),采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗(yàn)溶液,利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過對(duì)材料的晶間腐蝕檢測(cè),能快速了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理 。
 
  鉻、鎳、鉬、硅:Cr、Mo含量的增加會(huì)降低C的活性,降低晶體腐蝕的傾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素會(huì)提高C的活性,降低C在奧氏體中的溶解度,促進(jìn)碳化物的析出。
 
  晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
 
  根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
 
  縫隙腐蝕:許多金屬部件是通過螺絲、鉚接、焊接等方式連接的,這些連接件或焊接接頭的缺陷處可能會(huì)有狹窄的縫隙。縫隙的寬度(一般為0.025 ~ 0.1mm)足以讓電解液進(jìn)入,使縫隙內(nèi)的金屬與縫隙外的金屬形成短路原電池,縫隙內(nèi)發(fā)生較強(qiáng)的局部腐蝕。
 
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