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DFB和DBR激光器

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更新時間:2021-06-30 20:40:27瀏覽次數:563次

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產品簡介

DFB和DBR激光器

詳細介紹

DFBDBR激光器

高功率1550nm DFB 激光器

主要特點:

  • ITU 網格的波長
  • 輸出功率可達 100mW
  • 低 RIN
  • 保偏 or SMF28 光纖
  • 激光焊接且密封的
  • 內置熱敏電阻和監控探測器
  • 可選 Bias-T

應用:

  • Analog RF Links
  • Seeding
  • Pulsing
  • Sensing
  • CATV

光電特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

工作芯片溫度

TCHIP

20

35

°C

閾值電流

ITH

50

mA

激光器驅動電流

IOP

375

500

mA

激光器正向電壓

VF

I= IMAX

3

V

輸出功率

POP

100mW Version, I=IOP

100

mW

80mW Version, I=IOP

80

63mW Version, I=IOP

63

50mW Version, I=IOP

50

40mW Version, I=IOP

40

中心頻率

FOPT

P=POP

See ordering information

THz

線寬

Δν

1

MHz

相對強度噪聲

RIN

P=POP, 0.2GHz→14GHz

-150

dB/Hz

邊模抑制比

SMSR

P=POP

30

dB

光學隔離

ISO

30

35

dB

消光比

PER

17

21

dB

監控光敏二極管電流

IPD

100

µA

監控光敏二極管暗電流

ID

100

nA

追蹤誤差

-0.5

0.5

dB

TEC 電流

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

4.0

A

TEC 電壓

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

4.0

V

熱敏電阻阻抗

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

熱敏電阻 β系數

β

0 / 50°C

3892

高帶寬 DFB 激光器

主要特點:

  • 輸出功率可達 18 mW
  • 高帶寬 > 10 GHz
  • 超高速脈沖性能
  • 激光焊接和密封
  • 內置熱敏電阻和監控探測器

光電特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

工作芯片溫度

TCHIP

15

35

°C

閾值電流

ITH

8

20

mA

激光器驅動電流

IOP

75

100

mA

激光器正向電壓

VF

I= IMAX

1.6

2

V

輸出功率

POP

I=IOP

18

mW

中心波長

λ

P=POP

1310
1550

nm

線寬

Δ ν

1

MHz

相對強度噪聲

RIN

P=POP, 0.2GHz→3GHz

-150

dB/Hz

邊模抑制比

SMSR

P=POP

30

dB

光學隔離

ISO

30

35

dB

消光比

PER

17

19

dB

監控光敏二極管電流

IPD

50

µA

監控光敏二極管暗電流

ID

100

nA

追蹤誤差

-0.5

0.5

dB

TEC 電流

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

2.0

A

TEC 電壓

TOP=70°C, P=POP, TCHIP=25°C

2.5

V

熱敏電阻阻抗

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

熱敏電阻 β 系數

β

0 / 50°C

3892

1064nm DBR 激光器

主要特點:

  • 輸出功率可達 150 mW
  • 快速脈沖性能
  • 保偏或者 SMF28光纖
  • 激光焊接和密封
  • 內置TEC和監控探測器

應用:

  • Master oscillator for MOPA
  • Seeder for fiber lasers
  • Seeder for DPSS lasers

光電特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

工作芯片溫度

TCHIP

15

35

°C

閾值電流

ITH

40

50

mA

激光器驅動電流

IOP

500

550

mA

激光器正向電壓

VF

I= IMAX

2.0

2.5

V

輸出功率

POP

I=IOP

150

mW

中心波長

λ

P=POP

1062

1064

1066

nm

線寬

Δ ν

8

10

MHz

邊模抑制比

SMSR

P=POP

-30

dB

消光比

PER

14

19

dB

監控光敏二極管電流

IPD

P=POP

50

µA

監控光敏二極管暗電流

ID

100

nA

TEC 電流

ΔT=25°C, P=POP

3.5

A

TEC 電壓

ΔT=25°C, P=POP

3.5

V

熱敏電阻阻抗

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

熱敏電阻 β 系數

β

0 / 50°C

3892

1064 nm高功率 DFB Laser

主要特點:

  • 輸出功率可達 50mW
  • 保偏光纖
  • 密封
  • 內置光學隔離器,TEC,熱敏電阻和監控探測器
  • 可選的 Bias Tee

應用:

  • Master Oscillator
  • Pulsing
  • Sensing
  • Defense
  • Mode-hop free tuning

光電特性:

TOP=25°C, continous wave and beginning of life unless otherwise specified.

Parameter

Sym.

Condition

Min

Typ.

Max

Unit

工作芯片溫度

TCHIP

20

40

°C

閾值電流

ITH

17

mA

激光器驅動電流

IOP

400

mA

激光器正向電壓

VF

I= IMAX

3

V

輸出功率

POP

I=IOP

50

mW

中心波長

λ

P=POP

1062

1064

1066

nm

線寬

Δ ν

0.1

nm

邊模抑制比

SMSR

P=POP

40

dB

消光比

PER

17

21

dB

監控光敏二極管電流

IPD

P=POP

100

µA

監控光敏二極管暗電流

ID

100

nA

TEC 電流

ΔT=25°C, P=POP

3

A

TEC 電壓

ΔT=25°C, P=POP

3

V

熱敏電阻阻抗

RTH

T=25°C

9500

10000

10500

Ω

熱敏電阻 β 系數

β

0 / 50°C

3892

關鍵詞:芯片 隔離器

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