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上海繪吉電子科技有限公司
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更新時間：2021-06-09 14:55:46瀏覽次數(shù)：366次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線1200℃多坩堝依次移動型管式爐 OTF-1200X-II-ZL
OTF-1200X-II-ZL是一款爐管可在爐管內(nèi)部移動的（在真空氣氛保護環(huán)境下移動）管式爐，最多可依次移動4個坩堝。特殊的坩堝推送機構(gòu)，可將坩堝在爐管內(nèi)推出后再拉回，讓坩堝能做往返移動。坩堝移動位置&爐體的溫度控制都采用一觸摸屏控制。此款設(shè)備可進行物理化學混合沉積（HPCVD），快速熱蒸發(fā)（RTE）等實驗，特別適合制備多層二維晶體材料。
| 技術(shù)參數(shù) | |
|---|---|
| 開啟式管式爐 | ● 雙溫區(qū)管式爐：兩個獨立的溫控系統(tǒng)分別獨立控制兩個溫區(qū) ● 加熱區(qū)長度：溫區(qū)1:200mm, 溫區(qū)2:200mm ● 爐管材料：高純石英 ● 爐管尺寸：外徑: 60 ×內(nèi)徑: 54×長: 760 mm ● 溫度曲線圖(兩個溫區(qū)設(shè)置在800℃時所測，僅供參考）（可點擊圖片查看詳細資料） ● ● 工作溫度：1200℃（<1hr) ● 連續(xù)工作溫度：1100℃ ● 控溫精度：+/-1℃ ● |
| 真空密封 | 配有不銹鋼密封法蘭，上面安裝有不銹鋼截止閥和機械壓力表 進氣端法蘭接口為Φ6.35卡套接頭，出氣端法蘭接口為KF25接口 法蘭密封圈采用水冷卻，使用時需要通入冷卻水，可在本公司選購循環(huán)水冷機 真空度：10E-2 torr（采用機械泵），10-E5 torr(采用分子泵) ● |
| 坩堝移動機構(gòu)（轉(zhuǎn)輪式法蘭） | ● 一根鎧裝熱電偶通過左端法蘭通入到爐管內(nèi)部，并與坩堝相連接(圖1) ● 通過步進電機驅(qū)動使坩堝移動，并和熱電偶和坩堝一起移動，實時監(jiān)測樣品的溫度 ● 進氣端法蘭轉(zhuǎn)輪式法蘭（圖2） ● 可同時在轉(zhuǎn)輪系統(tǒng)中放入4個坩堝，可交替將放入4種材料的石英坩堝自動送入到石英管中（可在真空狀態(tài)或氣氛保護狀態(tài)進行運作） ● |
| 坩堝移動控制 | ● 通過一步進電機控制坩堝移動的速度和位置 ● 可控制坩堝最小移動位移為1mm ● 坩堝移動距離為200mm ● |
| 防腐型數(shù)顯真空計 | ● 配有一數(shù)顯防腐型真空計 ● 當氣壓在10mbar以上時，不需因測量氣體種類不同而進行系數(shù)轉(zhuǎn)換 ● 對于氣體的壓力檢測具有較高的精確度和重復性 ● 因為傳感器上鍍有涂層，所以具有較好的抗腐蝕性 ● 測量范圍：3.8x10-5 -1125 Torr ● |
| 混氣系統(tǒng) | ● 此套設(shè)備中配有一2路混氣系統(tǒng) ● 輸出功率：18W ● 工作溫度：5-45℃ ● 氣壓：3×106Pa ● 精度：±1%FS ● 質(zhì)量流量計量程： ● 1:0-100sccm ● 2:1-199sccm ● 可根據(jù)客戶要求選購1-5路供氣系統(tǒng) ● |
| 產(chǎn)品尺寸 | 2400L×600W×1300mm H ● |
| 質(zhì)保 | 一年質(zhì)保期，終生維護（不包含爐管，密封圈和加熱元件） |
| 質(zhì)量認證 | ● CE 認證 ● 所有電器元件（>24V）都通過 UL / MET / CSA 認證 ● 若客戶出認證費用，本公司保證單臺設(shè)備通過德國 TUV 認證或 CAS 認證 |
| 使用注意事項 | ● 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa ● 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全 ● 當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài) ● 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊 ● 石英管的長時間使用溫度＜1100℃ ● 對于樣品加熱的實驗，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐 管破裂，法蘭飛出等） |
| 應用注意事項 | ● 此款管式爐具有多種用途 ● 熱蒸發(fā)：把蒸發(fā)料放在坩堝里，通過移動坩堝來精確找到所需要的蒸發(fā)溫度 ● HPCVD：和熱蒸發(fā)相似，可通入反應氣體與蒸發(fā)的物料反應后再沉積 ● 可用于制作多層二維晶體 |
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