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材料	復(fù)合膜	性能	可調(diào)
種類	熱敏

日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D

適用于 D、F、G、J、K 級、芯片、melph、徑向和軸向電阻器的分揀和編帶機

由于模數(shù)隔離提高了抗噪性，因此穩(wěn)定性高
兼容極小的芯片（低功耗測量）
超高速 0.7msec.（代表值）
通過熱電動勢抵消測量實現(xiàn)高精度和高穩(wěn)定性
通過各量程的測量值積分時間設(shè)置功能實現(xiàn)超高速和高穩(wěn)定性測量
% 測量：± 99.99% [5mΩ-109MΩ]
測量：0.00mΩ～200.00MΩ
接觸檢查：可選擇測量前/測量后/OFF
RS-232C接口標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（GP-IB可選）
打印機輸出標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（基于Centronics）
設(shè)定值傳送功能標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備：（相同的設(shè)定數(shù)據(jù)可傳送至另一臺AE-162D并自動設(shè)定）
測量電流/測量電壓異常檢查電路標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備

測量范圍和基本精度（環(huán)境溫度23°C±5°C），校準(zhǔn)后180天[校準(zhǔn)后1年：1.5次]

測量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	測量電流	測量精度^*
測量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	測量電流	減緩	快速地
100mΩ	5mΩ-100mΩ	100mA	± 0.02% ± 2a ± 2d	± 0.03% ± 3a ± 2d ± [2 / (1 + n)] d
1Ω	100.1mΩ～1Ω	100mA	±0.02%±a±1d以內(nèi)	± 0.02% ± a ± 2d ± [2 / (1 + n)] d
10Ω	1.001Ω～10Ω	50mA	±0.02%±a±1d以內(nèi)	± 0.02% ± a ± 2d ± [2 / (1 + n)] d
100Ω	10.01Ω-100Ω	10mA	±0.02%±1d以內(nèi)	± 0.02% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d
1kΩ	100.1Ω～1kΩ	5mA
10kΩ	1.001kΩ～10kΩ	0.5mA
100kΩ	10.01kΩ-100kΩ	50μA
1兆歐	100.1kΩ～1MΩ	5μA		± 0.05% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d
10兆歐	1.001MΩ ~ 10MΩ	0.5μA	±0.03%±1d以內(nèi)	± 0.2% ± 4d ± [1 / (1 + n)] d
100MΩ	10.01MΩ ~ 109MΩ	0.05μA	±0.1%±2d以內(nèi)	────

* D = 位數(shù)，n = 積分時間（毫秒），% 測量值：α = (100 / 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定值 mΩ) x 0.01%，值測量值：α = 0（添加 ± 1d）

* 屏蔽狀態(tài)下的*精度

日本ae-mic超高速芯片電阻檢測用AE-162D

測量時間	外部啟動		自由奔跑
	減緩	快速地	減緩	快速地
	大約 18 毫秒-400 毫秒。	大約 0.7 毫秒-400 毫秒。	約30次/秒～約2次/秒	約60次/秒～約2次/秒

* 規(guī)格如有改進，恕不另行通知。

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