當前位置:天津市電纜總廠第一分廠>>同軸電纜>>MSLYFVZ同軸泄漏電纜>> MSLYFYVZ-50-9射頻電纜
材料形狀 | 圓線 | 產品認證 | ccc |
---|---|---|---|
電線最大外徑 | 18mm | 護套材質 | PVC |
加工定制 | 是 | 絕緣厚度 | 1mm |
拉伸強度 | 60 | 線芯材質 | 紫銅線 |
芯數 | 4 |
MSLYFYVZ-50-9射頻電纜型號及規格:,指標特性:內導體銅線或銅包鋁物理發泡絕緣織外導體
軟銅線 3 × 24 編織黑色聚乙烯內護套
MSLYFYVZ-50-9射頻電纜阻燃聚氯乙烯外護套 電氣特性:絕緣耐壓(介電強度) 1.8KV1min 不擊穿
內導體直流電阻( 2 0 ℃時 )≤ 5.5Ω/km
電壓駐波比 0-300MHZ 內≤ 1.2絕緣電阻:>1000MΩ?km
特性阻抗 75 ± 3Ω
耦合損耗 60MHZ 75 ± 10dB環境溫度:-40 ~+55 ℃
安裝敷設半徑 -15 ℃彎曲半徑:125mm
MSLYFYVZ-50-9射頻電纜產品用途及特點
MSLYFYVZ-50-9射頻電纜本產品適用于礦山、地鐵、地下隧道以及地下設施在建筑物內部在無線電波不能直接傳播與傳播不良的特殊環境下作通信系統傳輸線。
二、MSLYFYVZ-75-9礦用同軸電纜主要技術特性
使用頻率: 1GHz 以下使用環境溫度: -25"C~70'C
數設溫度:不低于-10C
彎曲半徑:不大于電纜外徑的15倍。
主要用于存儲程序中的變量。在單芯片單片機中(*1),常常用SRAM作為內部RAM。SRAM允許高速訪問,內部結構太復雜,很難實現高密度集成,不適合用作大容量內存。除SRAM外,DRAM也是常見的RAM。DRAM的結構比較容易實現高密度集成,比SRAM的容量大。將高速邏輯電路和DRAM安裝于同一個晶片上較為困難,一般在單芯片單片機中很少使用,基本上都是用作外圍電路。(*1)單芯片單片機是指:將CPU,ROM,RAM,振蕩電路,定時器和串行I/F等集成于一個LSI的微處理器。
OTIS、KON蒂森等廠家生產的電梯,轎廂尺寸較大,需要的井道尺寸也較大。如果按照三菱電梯樣板設計井道,有可能無法安裝OTIS電梯。如果按照OTIS電梯樣板設計井道,安裝三菱電梯時導軌支架長度就不夠;使用加長導軌支架,為了增強導軌支架的強度,在支架間焊接加強筋,致使導軌支架變形;導軌支架點焊后并不牢固,如果滿焊,又容易使導軌支架發生移位。解決方案:在磚墻上摳取支架孔洞時,應拆除周圍整塊紅磚,而不是部分紅磚,在拆除過程中,如果有紅磚碎裂,需要一起取出。
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責,環保在線對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示:為規避購買風險,建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。