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詳細(xì)介紹
- 高靈敏度中子ICCD 和中子sCMOS探測(cè)器
PSEL制冷型中子探測(cè)器系列采用LiF：ZnS：Ag閃爍體熒光屏，由極低噪聲、高靈敏度ICCD或sCMOS芯片讀出。中子成像應(yīng)用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效區(qū)域的高分辨率閃爍體，并結(jié)合具有低噪聲、快速讀出4096×4096分辨率的sCMOS相機(jī)。衍射和小角散射應(yīng)用使用26cm×20cm有效區(qū)域的高效閃爍體，并結(jié)合1306×1040分辨率的超低噪聲ICCD相機(jī)，可實(shí)現(xiàn)單量子探測(cè)功能。通過(guò)將多個(gè)相機(jī)拼接在一起可以實(shí)現(xiàn)更大區(qū)域的探測(cè)?？熘凶酉盗胁粌H可以用于實(shí)驗(yàn)室密封源研究，也可用于研究反應(yīng)堆設(shè)施。
高靈敏度中子ICCD 主要特點(diǎn)：
- 16-bit數(shù)字圖像實(shí)時(shí)采集
- 單中子等效讀出噪聲
- 可達(dá)20000:1的高動(dòng)態(tài)范圍
- 標(biāo)準(zhǔn)相機(jī)與計(jì)算機(jī)接口
- 芯片陣列可多路采集
高靈敏度中子ICCD 應(yīng)用：
- 中子成像/斷層掃描
- 中子衍射
- 小角中子散射
- 蛋白質(zhì)晶體學(xué)
- 中子反射
高靈敏度中子ICCD 技術(shù)指標(biāo)：
參數(shù) | 中子ICCD | 中子sCMOS |
閃爍體 | LiF：ZnS：Ag | |
有效像元尺寸 | 200μm | 105 μm |
有效探測(cè)尺寸 | 20cm×26cm | 43cm×43cm |
幀速 | 0.6 fps | 5 fps |
動(dòng)態(tài)范圍 | >10000:1 | >20000:1 |
讀出噪聲 | <3 e- | 4e- |
增益 | >1000:1 | N/A |
門控寬度 | <1 ms @ 1kHz | N/A |
芯片制冷溫度 | -20 ℃ | |
曝光時(shí)間(單幀) | 長(zhǎng)可達(dá)30分鐘 | 長(zhǎng)可達(dá)1分鐘 |
相機(jī)接口 | 千兆以太網(wǎng) | |
Li-6熒光屏來(lái)自于scintacor
特征 | 物理性質(zhì) |
屏幕類型 | ND |
磷光體類型 | 混合顆粒 |
發(fā)光顏色 | 藍(lán)色 |
峰值波長(zhǎng) | 450nm |
衰減10% | 3.5μs |
余輝拖尾 | 低階 |
X射線吸收 | 極低 |
紫外光吸收 | 寬帶 |
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