日本filmetrics顯微自動膜厚測量系統F54
F54顯微自動膜厚測量系統是將微小區域內的高精度膜厚/光學常數分析功能與自動高速載物臺相結合的系統。兼容 2 英寸到 450 毫米的硅基板，它可以以的速度在點測量薄膜厚度和折射率。
兼容5x至50x物鏡，測量光斑直徑可根據應用選擇1μm至100μm。
主要應用
半導體平板
抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/多晶硅、拋光硅片、化合物半導體、?T襯底等。 |
| 有機膜、聚酰亞胺、ITO、單元間隙等 |
產品陣容
模型
F54-UV
F54
F54-近紅外
F54-EXR
F54-UVX
測量波長范圍
膜厚測量范圍
5倍
10倍
15倍
50倍
100倍
準確性*
190 – 1100nm | 400 – 850nm | 950 – 1700nm | 400 – 1700nm | 190 – 1700nm |
———— | 20nm-40μm | 40nm – 120μm | 20nm – 120μm | ———— |
———— | 20nm – 35μm | 40nm – 70μm | 20nm – 70μm | ———— |
4nm – 30μm | 20nm-40μm | 40nm – 100μm | 20nm – 100μm | 4nm – 100μm |
———— | 20nm – 2μm | 40nm – 4μm | 20nm – 4μm | ———— |
———— | 20nm – 1.5μm | 40nm – 3μm | 20nm – 3μm | ———— |
± 0.2% 薄膜厚度 | ± 0.4% 薄膜厚度 | ± 0.2% 薄膜厚度 | ||
1納米 | 2納米 | 3納米 | 2納米 | 1納米 |
測量示例
可以測量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑。
主要特點
結合基于光學干涉原理的膜厚測量功能和自動高速載物臺的系統
兼容5x到50x物鏡，測量光斑直徑可根據應用從1μm到100μm變化。
兼容 2 英寸至 450 毫米的硅基板
環保在線