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汕頭市羅克自動化科技有限公司
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| 額定電流 | 12A | 額定電壓 | 12V |
|---|---|---|---|
| 加工定制 | 是 |
2MBI300P-140 富士IGBE模塊運用留意事項：
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極經過一層氧化膜與發射極完成電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓普通抵達20～30V。
2MBI300P-140富士IGBE模塊*，羅克自動化優質渠道，更多同類產品，歡迎帶型號來咨詢我們！2MBI300P-140富士IGBE模塊實物圖如下：
2MBI300P-140富士IGBE模塊
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2MBI300P-140富士IGBE模塊
2MBI300P-140富士IGBE模塊運用留意事項：
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極經過一層氧化膜與發射極完成電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓普通抵達20～30V。
因此因靜電而招致柵極擊穿是IGBT失效的常見緣由之一。因此運用中要留意以下幾點：
在用導電材料銜接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊；在運用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必需求觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地中止放電后，再觸摸；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時固然保證了柵極驅動電壓沒有超越柵*額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑止振蕩電壓。
此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，假設集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。
在運用IGBT的場所，當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態)，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類缺點，應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在安裝或改換IGBT模塊時，應十分注重IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。
為了減少接觸熱阻，在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。普通散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將招致IGBT模塊發熱，而發作缺點。因此對散熱風扇應定期中止檢查，普通在散熱片上靠近IGBT模塊的*安裝有溫度感應器，當溫渡過高時將報警或中止IGBT模塊工作。
2MBI300P-140富士IGBE模塊保管留意事項：
普通保管IGBT模塊的場所，應堅持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規則為5～35℃，常濕的規則在45～75%左右。
在溫度發作急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的*；
在冬天特別單調的地域，需用加濕機加濕;盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場所；保管時，須留意不要在IGBT模塊上堆放重物；裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。
IGBT模塊由于具有多種優秀的特性，使它得到了快速的展開和進步，已應用到電力電子的各方各面。
因此熟習IGBT模塊性能，了解選擇及運用時的留意事項對理論中的應用是十分必要的。
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