上海伯東代理美國* KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能

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KRi 射頻離子源 RFICP 220

上海伯東代理美國進口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

陽極	電感耦合等離子體 2kW & 2 MHz 射頻自動匹配
陽極功率	>1kW
離子束流	> 1000mA
電壓范圍	100-1200V
離子束動能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2, 其他
流量	5-50 sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學, 自對準	OptiBeamTM
離子束柵極	22cm Φ
柵極材質	鉬
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000, MHC 1000
高度	30 cm
直徑	41 cm
鎖緊安裝法蘭	10"CF

KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸

KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域：

預清洗

表面改性

輔助鍍膜 (光學鍍膜) IBAD,

濺鍍和蒸發鍍膜 PC

離子濺射沉積和多層結構 IBSD

離子蝕刻 IBE

射頻離子源 RFICP 220 集成于半導體設備, 實現 8寸芯片蝕刻

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專li. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.

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上海伯東: 羅先生

關鍵詞：芯片