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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積設(shè)備

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更新時(shí)間：2017-10-17 08:13:36瀏覽次數(shù)：632次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單。主要適應(yīng)于現(xiàn)代半

詳細(xì)介紹

PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單。主要適應(yīng)于現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)。

輝光放電：在系統(tǒng)低于100Pa啟動(dòng)射頻電源可以實(shí)現(xiàn)輝光放電。
加熱：系統(tǒng)可以設(shè)置30段溫控程序，彩屏系統(tǒng)預(yù)存15條燒培曲線，針對(duì)不同的樣品，設(shè)置不同的預(yù)設(shè)曲線，避免重復(fù)設(shè)置。
自動(dòng)清洗功能：樣品放入線圈的區(qū)域，配置好參數(shù)，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)抽真空，并通入設(shè)置的氣體，自動(dòng)啟動(dòng)輝光放點(diǎn)。
自動(dòng)cvd功能：樣品放入線圈的區(qū)域，配置好參數(shù)，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)抽真空，并通入設(shè)置的氣體，自動(dòng)啟動(dòng)輝光放點(diǎn)。
智能能模式：實(shí)現(xiàn)自動(dòng)清洗和cvd功能，樣品不需移出，清洗cvd功能一鍵完成，并能實(shí)現(xiàn)多次的循環(huán)操作。
通氣時(shí)間可以設(shè)定：通過(guò)界面設(shè)置通氣時(shí)間，時(shí)間到后，系統(tǒng)自動(dòng)停止流量計(jì)，達(dá)到節(jié)能環(huán)保的目的。
恒定真空控制：系統(tǒng)設(shè)置一個(gè)真空度的數(shù)值配合手動(dòng)閥和真空泵，系統(tǒng)能實(shí)現(xiàn)真空的恒定。
系統(tǒng)微正壓控制：系統(tǒng)設(shè)置一個(gè)正壓值，并配置好相應(yīng)的氣路，配合手動(dòng)放氣閥，可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)微正壓的恒定；
系統(tǒng)正壓保護(hù)功能：當(dāng)因?yàn)檎`操作或者其他原因，系統(tǒng)壓力超過(guò)保護(hù)值時(shí)，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)關(guān)閉進(jìn)氣，保護(hù)設(shè)備。
加熱爐膛移動(dòng)的速度可以調(diào)節(jié)。