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數字萬用表測量半導體的方法

時間:2014/1/7閱讀:1200
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一、二極管

數字萬用表二極管檔開路電壓約為2.8V,紅表筆接正,黑表筆接負,測量時提供電流約為1mA,顯示值為二極管正向壓降近似值,單位是mVV。硅二極管正向導通壓降約為0.3~0.8V。鍺二極管鍺正向導通壓降約為0.1~0.3V。并且功率大一些的二極管正向壓降要小一些。如果測量值小于0.1V,說明二極管擊穿,此時正反向都導通。如果正反向均開路說明二極管PN節開路。對于發光二極管,正向測量時二極管發光,管壓降約1.7V左右。

二、三極管

三極管有兩個PN節,發射節(be)和集電節(bc),按測量二極管的方法測量即可。在實際測量時,每兩個管腳間都要測正反向壓降,共要測6次,其中有4次顯示開路,只有兩次顯示壓降值,否則三極管是壞的或是特殊三極管(如帶阻三極管、達林頓三極管等,可通過型號與普通三極管區分開來)。在兩次有數值的測量中,如果黑表筆或紅表筆接同一極,則該極是基極,測量值較小的是集電節,較大的是發射節,因為已判斷出基極,對應可以判斷出集電極和發射極。同時可以判斷:如果黑表筆接同一極,則三極管是PNP型,如果紅表筆接同一極,則三極管是NPN;壓降為0.6V左右的是硅管,壓降為0.2V左右的是鍺管。

三、可控硅:

可控硅陽極與陰極及控制極是開路的,據此可以確定陽極管腳和判斷可控硅是否擊穿。可控硅控制極和陰極間也是PN節,但是大功率可控硅控制極和陰極間有一個保護電阻,測量時顯示值為電阻上的壓降。

四、光耦

光耦的一側是發光二極管,測量時壓降約1V左右,另外一側是三極管,有的只引出ce,測量正反向均截止,如果三個腳都引出,測量特性同上面三極管(多為NPN)。當用一個萬用表使二極管正向導通,此時用另外一塊萬用表測三極管ce導通壓降約為0.15V;斷開接二極管的萬用表,三極管ce截止,說明該光耦是好的

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