應(yīng)急平臺(tái)燈NFE9112-J70

概況：廣泛適用于各類裝置、平臺(tái)、廊道、通道及車間、廠房等場所作泛光照明。

注意事項(xiàng)：
*   安裝和維護(hù)燈具時(shí)，應(yīng)急平臺(tái)燈NFE9112-J70必須先斷開電源。 
*   非專業(yè)人員不得隨意拆卸燈具。
*   使用時(shí)，燈具表面有一定的溫升，屬正常現(xiàn)象；透明件中心溫度較高，不得用手直接觸摸。
*   若應(yīng)急電器箱*不使用，請(qǐng)每隔4 個(gè)月將應(yīng)急電器箱中的電池進(jìn)行充電，充滿電后再重新放置（充電時(shí)間為8 h）。
*   換燈泡時(shí)，應(yīng)使用同類型、功率的燈泡；如果改變燈泡類型或功率，應(yīng)相應(yīng)更換配套鎮(zhèn)流器。

技術(shù)參數(shù)：
額定電壓：-220V/50Hz
額定功率：35/70W
外殼防護(hù)：IP65
絕緣等級(jí)：I                    
防腐等級(jí)：WF2
應(yīng)急時(shí)間：60/45min
充電時(shí)間：＜20h
引入電纜：φ8~φ10mm
距高比：2.5
外形尺寸：
            φ255*191mm(燈具)  
            240*202*132mm(鎮(zhèn)流器箱)
總重量：
          4.5Kg(燈具)
          6.2Kg(鎮(zhèn)流器箱)

*：
      公司已通過ISO9001:2008質(zhì)量體系審核認(rèn)證,本產(chǎn)品嚴(yán)格執(zhí)行ISO9001質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)，確保產(chǎn)品質(zhì)量*達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)和設(shè)計(jì)要求,產(chǎn)品實(shí)行7年保用(光源保一年), 自購買之日起7年內(nèi)，產(chǎn)品正常使用下出現(xiàn)任何故障由本公司負(fù)責(zé)免費(fèi)維護(hù)。

使用方法：
*   根據(jù)現(xiàn)場環(huán)境和照明需要，確定燈具及鎮(zhèn)流器的安裝位置和適當(dāng)?shù)陌惭b方式。并根據(jù)鎮(zhèn)流器到220V電源接點(diǎn)的距離準(zhǔn)備相應(yīng)長度的 8~10mm三芯電纜線。
*   在確定好的安裝位置上，將燈具和鎮(zhèn)流器固定好。
*   更換燈泡時(shí)，先切斷電源，松開燈頭一側(cè)的鎖緊螺母，通過鉸鏈翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，打開燈頭，旋下舊燈泡，換上新燈泡。
A、B型輸入
    注：白色電纜線（左）表示電源線
         1、紅、黑色接220V電源  2、棕色、藍(lán)色為應(yīng)急開關(guān)線（兩線短接） 3、黃綠雙色線為接地線
A、B型輸出
     注：黑色電纜線（右）表示光源線
          1、紅、黑色接光源  2、黃綠雙色線接地線
D型輸入
     注：白色電纜線（左）表示電源線
          1、紅、黑色接220V(正常照明) 2、棕色、藍(lán)色接220V（電池充電） 3、黃綠雙色線為接地線
D型輸出
     注：白色電纜線（右）表示光源線
          1、紅、黑色接光源  2、棕色、藍(lán)色為應(yīng)急開關(guān)線（兩線短接） 3、黃綠雙色線為接地線

 警告:
*    不可在零下20度以下的環(huán)境中使用;
*    不可直接安裝在可燃物上;
*    燈具必須可靠接地.

以科技立足于工業(yè)照明，以優(yōu)良的產(chǎn)品服務(wù)客戶，以節(jié)能環(huán)保的產(chǎn)品回報(bào)社會(huì)。以誠信為基礎(chǔ)，與客戶一道發(fā)展壯大，合作雙贏。我司所有產(chǎn)品均嚴(yán)格把關(guān)生產(chǎn)和質(zhì)量控制。請(qǐng)客戶朋友們放心選購。如有疑問請(qǐng)致電我司銷售工程師。

LED新聞動(dòng)態(tài)：

近日，據(jù)ACB News《澳華財(cái)經(jīng)在線》報(bào)道，澳大利亞BluGlass公司發(fā)布公告，宣布與國內(nèi)芯片廠商華燦光電簽署合作協(xié)議，未來將共同挖掘RPCVD技術(shù)的應(yīng)用潛力。 RPCVD技術(shù)，詳細(xì)注解為低溫遠(yuǎn)程等離子化學(xué)氣相沉積，該技術(shù)主要利用低溫制造平臺(tái)形成的氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(InGaN)等關(guān)鍵半導(dǎo)體材料薄膜，因之產(chǎn)生的低溫和靈活可控特性，以為生產(chǎn)工藝提供高效、低成本、性能佳、基地材料適用范圍廣的優(yōu)勢(shì)，對(duì)于時(shí)下LED燈具和電力電子器件等設(shè)備生產(chǎn)具有積極意義。 公告顯示，根據(jù)本次協(xié)議，華燦光電將主要評(píng)估RPCVD技術(shù)在低溫沉積氮化鎵薄膜工藝和氮化鋁薄膜工藝中的優(yōu)勢(shì)，未來，這兩項(xiàng)工藝將分別用于綠色LED和高亮度LED芯片制造。 在獲悉該新聞后，小編本能反應(yīng)這可能是一種基于硅襯底的外延技術(shù)，并將同此前獲得國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)的硅襯底技術(shù)有一個(gè)很好的結(jié)合，但在詳細(xì)了解情況后，實(shí)際并不是這樣。 “此項(xiàng)RPCVD技術(shù)同目前國內(nèi)市場大力發(fā)展的硅襯底技術(shù)，并無太大關(guān)聯(lián)，僅是一種低溫的氣相沉積技術(shù)，目前我們?nèi)A燦也是作為一項(xiàng)技術(shù)儲(chǔ)備，離zui終走向應(yīng)用端還有待時(shí)日。”據(jù)華燦光電副總裁邊迪斐介紹道。