国产精自产拍久久久久久蜜,亚洲视频在线观看,亚洲小说图片,国产伦精品一区二区三区免.费

上海克默電子有限公司

主營產品: 電子商品、電子元器件

您現在的位置: 首頁>>產品展示

公司信息

人:
張獻超
址:
金山區衛昌路251號2幢1019室
編:
鋪:
http://www.aboay.com/st156556/
給他留言

產品展示

Product

全部熱門

共計 1000 條產品信息

產品圖片 產品名稱
CM600DU-24NFH
CM600DU-24NFH
簡單介紹:三菱CM600DU-24NFH模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM400DU-12F
CM400DU-12F
簡單介紹:三菱CM400DU-12F模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM200DU-24NFH
CM200DU-24NFH
簡單介紹:三菱CM200DU-24NFH模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM100TU-24F
CM100TU-24F
簡單介紹:三菱CM100TU-24F模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM75TU-24F
CM75TU-24F
簡單介紹:三菱CM75TU-24F模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM600DU-24NF
CM600DU-24NF
簡單介紹:三菱CM600DU-24NF模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM35MXA-24S
CM35MXA-24S
簡單介紹:三菱CM35MXA-24S模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM200DU-24H
CM200DU-24H
簡單介紹:三菱CM200DU-24H模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM75TU-12H
CM75TU-12H
簡單介紹:三菱CM75TU-12H模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM600DU-24F
CM600DU-24F
簡單介紹:三菱CM600DU-24F模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM35MX-24A
CM35MX-24A
簡單介紹:三菱CM35MX-24A模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM200DU-24F
CM200DU-24F
簡單介紹:三菱CM200DU-24F模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM100TU-12F
CM100TU-12F
簡單介紹:三菱CM100TU-12F模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM75TU-12F
CM75TU-12F
簡單介紹:三菱CM75TU-12F模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM600DU-12NFH
CM600DU-12NFH
簡單介紹:三菱CM600DU-12NFH模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM350DU-5F
CM350DU-5F
簡單介紹:三菱CM350DU-5F模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM200DU-12NFH
CM200DU-12NFH
簡單介紹:三菱CM200DU-12NFH模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM100TL-24NF
CM100TL-24NF
簡單介紹:三菱CM100TL-24NF模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM75TL-24NF
CM75TL-24NF
簡單介紹:三菱CM75TL-24NF模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
CM50TU-34KA
CM50TU-34KA
簡單介紹:三菱CM50TU-34KA模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
產品型號:   所在地:上海市   更新時間:2022-07-18
參考價:面議 詢價留言
每頁20條 共1000條上一頁6789101112跳轉至





產品對比 二維碼

掃一掃訪問手機商鋪

對比框

在線留言
主站蜘蛛池模板: 洪雅县| 宾阳县| 百色市| 甘谷县| 伊金霍洛旗| 蒲江县| 定西市| 怀集县| 涡阳县| 九寨沟县| 靖远县| 潼关县| 庐江县| 会东县| 神池县| 喀喇沁旗| 监利县| 巴里| 满洲里市| 益阳市| 贵南县| 鸡泽县| 八宿县| 渝北区| 建阳市| 吴忠市| 开封县| 丰宁| 康平县| 沁阳市| 南华县| 乳源| 赤水市| 民勤县| 金乡县| 定远县| 竹北市| 盖州市| 庐江县| 嘉善县| 宜宾县|