国产精自产拍久久久久久蜜,亚洲视频在线观看,亚洲小说图片,国产伦精品一区二区三区免.费

產(chǎn)品|公司|采購|招標(biāo)

環(huán)保APP正式上線

新能源汽車IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)-長(zhǎng)禾CNAS

參考價(jià)￥99.00
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)changhe
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2025/3/12 17:12:02
  • 訪問次數(shù)5
規(guī)格
199.00元999 件可售
在線詢價(jià)收藏產(chǎn)品 點(diǎn)擊查看電話

西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”），位于中國(guó)西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新，是一家專注于功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)與驗(yàn)證的企業(yè)。

作為國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)（CNAS）正式認(rèn)證的大功率器件測(cè)試服務(wù)中心，長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，致力于為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式、專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室配備功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備和自動(dòng)化測(cè)試平臺(tái)，全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。憑借技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測(cè)試、篩選及老化服務(wù)的機(jī)構(gòu)之一。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電（風(fēng)電、光伏）、新能源汽車、國(guó)防、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域，為中國(guó)核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。

完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)一直是實(shí)驗(yàn)室強(qiáng)化的重點(diǎn)，實(shí)驗(yàn)室核心團(tuán)隊(duì)研究生占比70%以上，具備深厚的學(xué)術(shù)背景和豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。在質(zhì)量控制方面，實(shí)驗(yàn)室建立了完善的質(zhì)量管理體系，嚴(yán)格執(zhí)行實(shí)驗(yàn)室管理標(biāo)準(zhǔn)。每個(gè)測(cè)試項(xiàng)目均建立了詳細(xì)的作業(yè)指導(dǎo)書，確保測(cè)試過程的標(biāo)準(zhǔn)化和可追溯性，數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。

長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室秉持“嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)、精益求精”的企業(yè)精神，致力于推動(dòng)中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展，助力打造具備競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。未來，長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室將繼續(xù)發(fā)揮技術(shù)和資源優(yōu)勢(shì)，立足西安，努力成長(zhǎng)為優(yōu)秀的功率半導(dǎo)體測(cè)試與驗(yàn)證服務(wù)平臺(tái)，助力中國(guó)“芯”騰飛！

 

功率半導(dǎo)體器件電參數(shù)測(cè)試，可靠性老化測(cè)試，環(huán)境老化，器件極限能力測(cè)試服務(wù)。
加工定制 是
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室”），作為CNAS功率器件測(cè)試服務(wù)中心，嚴(yán)格遵循國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，為國(guó)內(nèi)外客戶提供一站式專業(yè)測(cè)試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評(píng)估和失效分析。新能源汽車IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)-長(zhǎng)禾CNAS
新能源汽車IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)-長(zhǎng)禾CNAS 產(chǎn)品信息

新能源汽車IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)-長(zhǎng)禾CNAS

分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（DC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012、GJB128B-2021

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；

檢測(cè)能力：檢測(cè)電壓：2000V 檢測(cè)電流：200A；

試驗(yàn)參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

I-V曲線掃描

ID vs.VDS at range of VGS

ID vs.VGS at fixed VDS

IS vs.VSD

RDS vs.VGS at fixed ID

RDS vs.ID at several VGS

IDSS vs.VDS

HFE vs.IC

BVCE（O,S,R,V） vs.IC

BVEBO vs.IE

BVCBO vs.IC

VCE（SAT） vs.IC

VBE（SAT） vs.IC

VBE（ON） vs.IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF

功率模塊靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（DC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：7000V，檢測(cè) 電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

開關(guān)特性測(cè)試（Switch）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V 檢測(cè) 電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：開通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff、上升/下降時(shí)間tr/tf、開通/關(guān)斷延遲時(shí)間td(on)/td(off)、開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；

反向恢復(fù)測(cè)試（Qrr）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V 檢測(cè) 電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時(shí)間Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec；

柵極電荷（Qg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V 檢測(cè) 電流：5000A

試驗(yàn)參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；

短路耐量（SCSOA）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V 檢測(cè) 電流：10000A

試驗(yàn)參數(shù)：短路電流Isc、短路時(shí)間Tsc、短路能量Esc；

結(jié)電容（Cg）    

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ侯l率：0.1-1MHz、檢測(cè) 電壓：1500V；

試驗(yàn)參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；

C-V曲線掃描     

輸入電容Ciss-V；

輸出電容Coss-V；

反向傳輸電容Cres-V；

柵極電阻（Rg）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：1500V；

試驗(yàn)參數(shù)：柵極等效電阻Rg

正向浪涌電流測(cè)試    

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

試驗(yàn)參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i2t

雷擊浪涌      8/20us,10/1000us

雪崩耐量測(cè)試（UIS）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V，檢測(cè) 電流：200A

試驗(yàn)參數(shù)：雪崩能量EAS

介電性測(cè)試 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；

試驗(yàn)對(duì)象：Si、SiC·MOSFET；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V，檢測(cè) 電流：200A

高溫反偏試驗(yàn)（HTRB）  

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?span>  150℃；電壓  5000V；

高溫柵偏試驗(yàn)（HTGB）  

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗(yàn)對(duì)象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?span>  150℃；電壓  100V；

高溫高濕反偏試驗(yàn)（H3TRB）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?span>85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓  4500V；

功率老煉測(cè)試     

試驗(yàn)對(duì)象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測(cè) 電壓：4500V，檢測(cè) 電流：200A

間歇壽命試驗(yàn)（IOL）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測(cè)能力：ΔTj≧100℃ 電壓 60V，電流 50A。

功率循環(huán)試驗(yàn)（PC）

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；

試驗(yàn)對(duì)象：IGBT模塊；

檢測(cè)能力：ΔTj=100℃，電壓 30V，電流 1800A；

熱阻測(cè)試（Riath）   

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

試驗(yàn)對(duì)象：各類二極管；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻

失效分析      X-ray    

◆ 人機(jī)工程學(xué)設(shè)計(jì)

◆ 編程CNC檢測(cè)及選配旋轉(zhuǎn)工裝

◆ 可實(shí)時(shí)追蹤、目標(biāo)點(diǎn)定位

◆ 高分辨率FPD獲高質(zhì)量圖像

◆ 配置超大載物臺(tái)及桌面檢測(cè)區(qū)域

◆ X射線源：

 輸出功率：8W

光管類型：封閉式

管電壓：90kV

焦點(diǎn)尺寸：5μm

環(huán)境老煉     

高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)（HTSL）   

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?span>  220℃；

低溫存儲(chǔ)試驗(yàn)（LTSL）    

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?span>   -70℃。

高低溫循環(huán)試驗(yàn)（TC）   

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟确秶?span>-40℃~175℃。

溫度沖擊試驗(yàn)     

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟确秶?span>-70℃~220℃。

高溫蒸煮試驗(yàn)（PCT）     

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 4937.4-2012?、JESD22-A110D-2010?

IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗(yàn)?zāi)芰Γ?/span>?溫度范圍?：105℃到142.9℃之間；濕度范圍?： 75%到100RH。

壓力范圍?：0.02MPa到0.186MPa。

可焊性試驗(yàn) 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

振動(dòng)試驗(yàn)     

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗(yàn)方法：模擬產(chǎn)品在運(yùn)輸、安裝及使用環(huán)境下所遭遇到的各種振動(dòng)環(huán)境影響，主要用于評(píng)定元器件、零部件及整機(jī)在預(yù)期的運(yùn)輸及使用環(huán)境中的抵抗能力，以了解產(chǎn)品的耐振壽命和性能指標(biāo)的穩(wěn)定性。

鹽霧試驗(yàn)     

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；

試驗(yàn)對(duì)象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；

試驗(yàn)方法：通過人工模擬鹽霧環(huán)境條件來考核產(chǎn)品或金屬材料耐腐蝕性能的環(huán)境試驗(yàn)。一般用于對(duì)材料(表面鍍層)或表面處理工藝進(jìn)行評(píng)價(jià)、篩選、對(duì)比，確定產(chǎn)品中潛在問題的區(qū)域和部位,發(fā)現(xiàn)質(zhì)量控制的不足,尋找設(shè)計(jì)缺陷等。

新能源汽車IGBT參數(shù)測(cè)試服務(wù)-長(zhǎng)禾CNAS


關(guān)鍵詞：新能源
15168338725
產(chǎn)品對(duì)比
QQ

咨詢中心

在線客服QQ交談

市場(chǎng)部QQ交談

發(fā)布詢價(jià)建議反饋
回到頂部

Copyright hbzhan.comAll Rights Reserved

環(huán)保在線 - 環(huán)保行業(yè)“互聯(lián)網(wǎng)+”服務(wù)平臺(tái)

對(duì)比欄

提示

×

*您想獲取產(chǎn)品的資料：

以上可多選，勾選其他，可自行輸入要求

個(gè)人信息：

主站蜘蛛池模板： 滁州市| 勃利县| 太原市| 淅川县| 古浪县| 金塔县| 报价| 呼图壁县| 观塘区| 双牌县| 宁安市| 常德市| 邻水| 隆子县| 新沂市| 和平区| 芷江| 武威市| 曲麻莱县| 武川县| 柏乡县| 广西| 安远县| 科技| 万宁市| 赤峰市| 海阳市| 凉山| 搜索| 江都市| 栾川县| 汕尾市| 盈江县| 文山县| 紫阳县| 新郑市| 渑池县| 洪洞县| 宜阳县| 光泽县| 江津市|