高壓靜電水處理器，物理法*高壓靜電水處理器
高壓靜電水處理器，采用數(shù)套乃至上百套的集群安裝，稱為“高壓靜電水處理器陣列”。集群安裝的高壓靜電水處理器陣列，因具有協(xié)同效應(yīng)，能產(chǎn)生大的殺菌滅藻、緩蝕、阻垢和漸進式除垢的能力。產(chǎn)品應(yīng)用于循環(huán)流量200m3/h一80000m3/h的工業(yè)循環(huán)冷卻水系統(tǒng)水處理，替代化學(xué)藥劑處理循環(huán)冷卻水這一傳統(tǒng)模式。
高壓靜電水處理器，物理法*高壓靜電水處理器性能及特點：
安全性：水處理器只產(chǎn)生直徑1.2米的單壓靜電場，用以保證大部分循環(huán)水能流經(jīng)此區(qū)域而得到處理。靜電場的范圍小，不會對設(shè)備和人體產(chǎn)生任何副作用。
有效性：使系統(tǒng)換熱設(shè)備的熱交換效率始終達到或逐步接近設(shè)計值。
經(jīng)濟性：綜合費用約為化學(xué)加藥處理法的3.0-10.0%。
方便性：安裝、管理、維修簡便；通過每年對棒體擦凈的維護方式，可讓設(shè)備保持15年以上的使用壽命。
節(jié)水性：循環(huán)水利用率大于98.5%，且濃縮倍數(shù)可在5.0-10.0倍區(qū)間運行。
環(huán)保性：無需添加任何化學(xué)藥劑，杜絕了水體對環(huán)境的污染。
高壓靜電水處理器，物理法*高壓靜電水處理器能有效阻止硬垢生成
按照水分子具有極性的特點，自然狀態(tài)下的水分子是無序排列的，但在高壓靜電場中水分子則會發(fā)生有規(guī)則的排列。可將水體中的陰離子（C1-和S042-）、陽離子（Ca2+”、Mg2+”）包圍起來，阻止其化學(xué)反應(yīng)的發(fā)生，并且在水分子和設(shè)備間形成電位差，束縛離子向設(shè)備聚集的能力，起到阻止結(jié)垢的作用。
高壓靜電水處理器，物理法*高壓靜電水處理器能有效去除系統(tǒng)中的硬垢
在高壓靜電場中水垢分子間的電子結(jié)合力被破壞，改變了其晶體結(jié)構(gòu)，促使其疏松，并加大水分子的偶極距，增強與鹽類分子的水合能力，使水垢逐漸剝蝕、脫落。
物理法*高壓靜電水處理器能有效降低整個系統(tǒng)的腐蝕率
在管壁上形成一層致密的氧化膜，同時提高整個循環(huán)水分子的電位，相當(dāng)于使用陽極保護法的方式來降低整個系統(tǒng)的腐蝕率。
高壓靜電水處理器，物理法*高壓靜電水處理器能有效殺滅水體中的細菌和藻類
高壓靜電在循環(huán)水中能產(chǎn)生臭氧，其殺菌能力比氯離子強600~3000倍，能夠有效殺滅水體中的細菌和藻類，并且阻止軟垢的生成。由于提高了整個循環(huán)水的電位，改變了細菌、藻類的生存環(huán)境，讓細菌藻類不能吸收水分，脫水死亡，有效抑制了細
菌藻類的生長繁殖。
高壓靜電水處理技術(shù)參數(shù)
電源參數(shù)：（220±22）V/(50 ±1)Hz電源，每臺功率15W。
輸出電壓參數(shù)：高壓電發(fā)生器輸出電壓不小于15KV
絕緣參數(shù)：電控器的輸出線對其外殼以及水處理器內(nèi)的電極對筒體的絕緣電阻不小于1000MΩ
有效水處理能力：每臺處理能力250 m3/h-300 m3/h，采用多臺陣列安裝，處理能力為單臺設(shè)備處理量與設(shè)備臺數(shù)的乘積。
設(shè)備主體使用壽命參數(shù)：15年
技術(shù)性能參數(shù)：
阻垢率不小于85%
殺菌率不小于95%
滅藻率不小于95%
碳鋼管壁的腐蝕速率小于0.125mm/a；銅、銅合金、不銹鋼管壁的腐蝕速率小于0.005mm/a。
高壓靜電水處理器可數(shù)套至上百套地集群安裝，稱為“高壓靜電水處理器陣列”。集群安裝的高壓靜電水處理器陣列，因具有協(xié)同效應(yīng)，每小時可處理數(shù)千噸至數(shù)萬噸的循環(huán)冷卻水，為物理方法在大流量循環(huán)冷卻水系統(tǒng)的應(yīng)用，找到了一個行之有效的方法。高壓靜電水處理器陣列可安裝于貯水池、輸水渠及冷卻塔底部。具有不需系統(tǒng)停機安裝,維護檢修方便的優(yōu)點。
