半導體封裝工藝中會用到引線框架，引線框架作為半導體芯片載體，其材料中主要是銅等易氧化的元素，銅在高溫的環境中極易生成CuO.在后道的回流焊中會發生斷層，斷裂的現象。
所以引線框架封裝需要在厭氧的環境中烘烤，固化。
由于一些特殊的場合，需要真空環境，所以，本公司推出真空環境下的真空無氧烘箱。
厭氧烘箱需要在充氮環境里進行加熱加溫，所以，又稱為：厭氧充氮烘箱
半導體封裝工藝中會用到引線框架，引線框架作為半導體芯片載體，其材料中主要是銅等易氧化的元素，銅在高溫的環境中極易生成CuO.在后道的回流焊中會發生斷層，斷裂的現象。
所以引線框架封裝需要在厭氧的環境中烘烤，固化。
由于一些特殊的場合，需要真空環境，所以，本公司推出真空環境下的厭氧烘箱。
厭氧烘箱需要在充氮環境里進行加熱加溫，所以，又稱為：厭氧充氮烘箱
一、真空厭氧烘箱基本功能
上料→抽真空→常溫升溫→達到設定溫度（超溫會報警）→保持恒溫并開始計時→時間到后停止加熱并報警→自動降溫→下料。
二、真空無氧烘箱主要技術參數
序號 | 項目 | 具體指標 | 備注 |
1 | 機器尺寸 | 1080mm（D）*890mm(W)*1710mm(H) | |
2 | 內箱尺寸 | 500mm(D)*500mm(W)*980mm(H) | |
3 | 溫度范圍 | 至少室溫+20℃～+350℃可調 | |
5 | 升溫速率 | 3-5℃/min | |
6 | 進氣量 | 協商 | |
7 | 含氧量 | 協商 | |
8 | 溫度控制器顯示精度 | 0.1 | |
9 | 抽氣 | 協商 | |
10 | 溫度波動度 | ±1℃ | |
真空度 | 協商 | ||
11 | 控溫儀表 | 7寸觸摸屏 | |
12 | 降溫方式 | 水冷 | |
13 | 溫度均勻度 | ≤±2.0%℃ (空載) | |
14 | 氣體 | 可充氮氣或壓縮空氣 | |
15 | 控制回路保護 | 短路及過載保護 | |
16 | 循環風方式 | 水平循環運風 |
三、半導體烘箱基本要求
1、電源：380V/220V，50Hz~60Hz，配有相序保護器，結構件接地保護。
2、氮氣要求：0.4-0.6MPa，自帶分級過濾器。
四、設備控制系統
1、采用 PID 自動計算輸出功率的大小；越接近溫度設定值時，輸出功率越小，以達到恒溫控制的目的，并可節能省電。
2、當實際檢測溫度超過超溫保護溫控器設定值時，自動切斷加熱電源，起到雙重保護功能。
3、定時分為 2 檔（手動/自動）：選擇手動時為立即開始計時；選擇自動時為溫度必須達。到設定溫度值時才開始計時，時間到達到后有聲光報警并自動停機。
4、升溫降溫：儀表程式編輯控制，溫度范圍可設置，降溫、升溫、恒定、時間。
5、內烘箱：表面平整，不可有漏氣現象。
6、外殼溫度：室溫150℃以內，外殼溫度不高于室溫+20℃，接縫處除外。
7、外部材料：采用冷軋鋼板表面靜電噴塑處理、板材厚度為1.2mm;
8、保溫材料:具有不可燃燒，隔熱性強，采用玻璃纖維保溫棉、 六面保溫。
9、密封條采用硅膠膠條制作，可耐溫不變形。
10、內膽材料：304不銹鋼板、厚度為5mm、膽內清潔、防生銹、耐腐蝕。
11、每個箱體配有3個柵欄式層架。
12、門與內膽采用雙層密封形式，加強密封效果。
13、溫控器采用PV和SV顯示功能，自帶 PID 自動整定演算輸出，控制精準。
14、時間控制采用 LED 數顯時控器，可設置時間為 99 小，單位可以任意切換為小時、分鐘、秒。
15、超溫保護溫控器采用宇電能型溫控器，PV 與 SV 雙 LED 顯示功能，當溫度超過超溫保護溫控器設定值時，自動切斷加熱電源。
16、箱體側面設有排氣。
17、結構件安全接地保護。
18、配帶蜂鳴器的報警燈。
19、加熱管控制采用陽明 SSR 固態繼電器控制每組發熱管。
20、可調節氣體流量，使爐內溫度更加均勻。
21、控制程序制作簡單。
22、設有進氮氣口，配電磁閥控制，每組流量計可手動調整充氣流量、并可自動控制流量計開啟數量。
23、打開電源開關后，機器自檢，正常時指示燈塔顯示綠燈，如果出現異常，指示燈塔顯示紅燈。
24、配有 USB 接口，帶有數據導出功能、溫控曲線監測。
25、故障診斷簡單。
五、設備工作環境
1、環境溫度：10~40℃；
2、環境濕度：10%~85%RH。
六、無氧烘箱裝配要求
1、走線整齊、方便、美觀、與設備連線越短越好、中間接頭連接牢固、且不妨礙今后維工作。
2、所有設備預留設備接地位置。
由于真空厭氧烘箱制作工藝復雜，本網站所發布資料僅供參考，具體技術要求請來電來函我司詳談。
