SRS-500型磁控濺射PVD系統，最多可配備五個獨立濺射靶位，采用渦輪分子泵組和自動壓控系統等配置，適用于沉積各種金屬和反應膜層。可實現單靶直濺和多靶共濺功能。適合快速制備多層金屬、反應化合膜、半導體介質復合膜等，配備精密沉積速率控制系統，非常適合新材料研發和小批量生產使用。
主要特點：
- 大抽速真空系統，即插即用快捷方便；
- 最多五個獨立磁控靶位可輕松切換功能，快速制作多種金屬和反應介質膜；
- 預設參數全自動沉積無需人為干預；
- 材料和基板安裝方便實用，單片公轉可沉積φ280的膜片，可實現公自轉載具切換功能。
- 配備射頻源，可實現多種膜層工藝要求。
應用領域：
- 金屬和介電膜
- 薄膜傳感器的制造
- 光學元件
- 納米與微電子
- 太陽能電池
主要功能配置說明：
- Φ500mm*420mm(h)圓形不銹鋼腔室（可選玻璃腔室）
- 700L/s渦輪分子泵+雙級旋片泵真空泵組。
- 全量程復合真空計，自動控制不同工藝壓力。
- 電動壓控插板閥全程壓力自動控制。
- 四個獨立2英寸濺射靶+2個熱蒸發源，或5個獨立濺射靶位，可同時濺射多種靶材。
- 配準備DC電源和RF電源更利于濺射多種金屬和介質膜層。
- MFC精密氣體控制系統。
- 石英晶體監測系統用于實時厚度測量。
- 斜拉伸縮式觸控屏可預設控制沉積過程和快速數據輸入。
- 用戶友好軟件系統，可以通過網絡更新。
- 一鍵式全自動升降系統，便于操作。
- 精密溫控系統和基片前后加熱裝置可精確控制控基片＞800°C。
- 伸縮式基片掛架，可輕松調節濺射距離和切換公自轉模式。
- 自動腔體外包圍環繞冷卻系統，避免高溫鍍膜時腔室壁溫度過高。
系統外觀圖如下：
腔室結構圖如下：
四靶位濺射+2個獨立熱蒸發單元
五個獨立濺射靶位腔室結構圖
轉架結構圖：
外形尺寸圖：
- 技術指標
- 系統真空度：≤6 x10-5 Pa (經烘烤除氣后)；
- 系統檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S，停泵關機12小時后保壓≤5 Pa；
- 濺射成膜速率：各種材料綜合速率≥10nm/min；
- 膜厚均勻性：公自轉綜合均勻度≤5%。
- 主要功能單元配置
- 更多PVD系統工藝說明可查閱本站點解決方案目錄：/jjfa
鑫鐳真空專業為科研項目和企業制作用于薄膜材料實驗的小型多靶濺射PVD系統，提供各種真空鍍膜工藝設備搭配定制、鍍膜機機的全系統整合、升級和專用系統定制以及真空設備整機維修、安裝等服務。質量可靠，提供多個案列參考。
