簡介

scia Cube 750用于樣品尺寸為 750 mm x 750 mm 的大面積鍍膜和刻蝕。可用于計量光柵的制造。

設備原理

通過微波激勵反應氣體，產生等離子體。通過射頻偏壓，增強離子轟擊能量。

PECVD的過程，為使用等離子體輔助反應，將氣體原子沉積在基板表面形成薄膜。

RIE的過程，使用反應氣體和離子轟擊，對基板表面進行物理與化學的刻蝕。

該系統專為大面積高密度等離子體工藝過程而設計，可在較寬范圍內調節沉積參數，實現高速率氣相沉積鍍膜。此外，也可以使用氧氣或鹵素化學氣體進行高各向異性蝕刻，并優化刻蝕工藝的選擇比。

特點與應用

- 通過同步線性微波源陣列，實現大面積等離子體工藝過程
- 在樣品支架上配置獨立的射頻偏壓，對樣品實現高能轟擊
- 樣品可冷卻至 -10°C
- 樣品面朝下放置，避免顆粒污染
- 可進行原位腔室清洗處理
- 全自動樣品真空裝載LoadLock與大氣環境樣品存儲系統

- PECVD工藝

介質膜的沉積, 例如封裝、阻擋涂層、電絕緣（SiO2、Si3N4等）
光學和耐磨涂層（a-C:H，DLC）
納米金剛石和碳納米管的生長

- RIE工藝

金屬（鎳、鉻、鉑等）的反應蝕刻和微結構圖形制備
光學材料（石英、熔融石英）中光柵和其他結構的蝕刻
光刻膠灰化