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SI 500 等離子刻蝕機(jī)

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公司名稱深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司
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更新時(shí)間2022/11/13 15:39:03
訪問次數(shù)282

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深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司，經(jīng)過十多年的紫外光專業(yè)技術(shù)沉淀，可以根據(jù)客戶特殊要求提供定制化服務(wù)，研發(fā)設(shè)計(jì)組裝：紫外臭氧清洗機(jī)（UV清洗機(jī)），準(zhǔn)分子清洗機(jī)，等離子清洗機(jī)/去膠機(jī)等科研以及生產(chǎn)設(shè)備，擁有自主品牌及注冊商標(biāo)。同時(shí)我們代理歐美日多家高科技設(shè)備廠家高性價(jià)比產(chǎn)品, 始終堅(jiān)持創(chuàng)新, 技術(shù), 服務(wù), 誠信的企業(yè)文化，為廣大中國及海外客戶提供的儀器設(shè)備和材料的整體解決方案。應(yīng)用領(lǐng)域: 半導(dǎo)體/微納，光電/光學(xué), 生命科學(xué)/生物醫(yī)療等領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn), 客戶群體例如高等院校, 研究所，科技企業(yè)及醫(yī)療機(jī)構(gòu)等。半導(dǎo)體/微納，光電/光學(xué) 產(chǎn)品主要有：德國ParcanNano（Nano analytik）針尖光刻機(jī)，電子束光刻機(jī), 激光直寫光刻機(jī)，紫外光刻機(jī)，微納3D打印機(jī)，德國Sentech刻蝕機(jī)/鍍膜機(jī)及原子沉積，英國HHV磁控/電子束/熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)，微波離子沉積機(jī)MPCVD，芬蘭Picosun原子層沉積機(jī)，電子顯微鏡, 德國Bruker布魯克原子力顯微鏡/微納表征/光譜儀, 美國THERMO FISHER賽默飛光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀，美國Sonix超聲波顯微鏡, 德國耐馳Netzsch熱分析儀, 德國Optosol吸收率發(fā)射率檢測儀, 日本SEN UV清洗機(jī)/UV清洗燈，美國Jelight紫外清洗機(jī)/紫外燈管，德國Diener等離子清洗機(jī)等*技術(shù)產(chǎn)品。生命科學(xué)/生物醫(yī)療產(chǎn)品主要有：PCR儀，核酸質(zhì)譜儀/核酸檢測儀，電子顯微鏡，紫外設(shè)備，光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀，生物芯片，試劑，實(shí)驗(yàn)耗材等。并可依據(jù)客戶需求，研發(fā)定制相關(guān)產(chǎn)品。我們以高性價(jià)比的優(yōu)勢為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)，為高等院校, 研究所，科技企業(yè)及醫(yī)療機(jī)構(gòu)等客戶提供儀器設(shè)備和材料。

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產(chǎn)品簡介在線詢價(jià)

ICP-RIE SI 500 德國Sentech等離子刻蝕機(jī), 等離子刻蝕設(shè)備SI 500使用低離子能量的電感耦合等離子體用于低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕。通過在廣泛的溫度范圍內(nèi)的動態(tài)溫度控制確保了可重復(fù)且穩(wěn)定的等離子刻蝕條件。深反應(yīng)等離子刻蝕（硅，III-V族半導(dǎo)體，MEMS）可采用低溫工藝和室溫下的氣體切換工藝來實(shí)現(xiàn)。

SI 500 等離子刻蝕機(jī) 產(chǎn)品信息

ICP-RIE SI 500 德國Sentech等離子刻蝕機(jī)

低損傷刻蝕

由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機(jī)SI 500進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。

高速刻蝕

對于具有高深寬比的高速硅基MEMS刻蝕，光滑的側(cè)壁可以通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實(shí)現(xiàn)。

自主研發(fā)的ICP等離子源

三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能，非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。

動態(tài)溫度控制

在等離子體刻蝕過程中，襯底溫度的設(shè)定和穩(wěn)定性對于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關(guān)重要的作用。動態(tài)溫度控制的ICP襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感，可在-150°C至+400°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)良的工藝條件。

SI 500為研發(fā)和生產(chǎn)提供*的電感耦合等離子體(ICP)工藝設(shè)備。它基于ICP等離子體源PTSA，動態(tài)溫度控制的襯底電極，全自動控制的真空系統(tǒng)，使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的*的SETECH控制軟件和用于操作SI 500的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是SI 500主要的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī)，可以用于加工各種各樣的襯底，從直徑高達(dá)200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件，并且切換工藝非常容易。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī)，通過配置可用于刻蝕不同材料，包括但不于例如三五族化合物半導(dǎo)體(GaAs, InP, GaN, InSb)，介質(zhì)，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),還有金屬等。

SENTECH提供用戶不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室到六個(gè)工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī)也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊。

SI 500