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SI 500 等離子刻蝕機(jī)

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  • 公司名稱深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2022/11/13 15:39:03
  • 訪問次數(shù)282
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深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司,經(jīng)過十多年的紫外光專業(yè)技術(shù)沉淀,可以根據(jù)客戶特殊要求提供定制化服務(wù),研發(fā)設(shè)計(jì)組裝:紫外臭氧清洗機(jī)(UV清洗機(jī)),準(zhǔn)分子清洗機(jī),等離子清洗機(jī)/去膠機(jī)等科研以及生產(chǎn)設(shè)備,擁有自主品牌及注冊商標(biāo)。 同時(shí)我們代理歐美日多家高科技設(shè)備廠家高性價(jià)比產(chǎn)品, 始終堅(jiān)持創(chuàng)新, 技術(shù), 服務(wù), 誠信的企業(yè)文化,為廣大中國及海外客戶提供的儀器設(shè)備和材料的整體解決方案。 應(yīng)用領(lǐng)域: 半導(dǎo)體/微納,光電/光學(xué), 生命科學(xué)/生物醫(yī)療等領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn), 客戶群體例如高等院校, 研究所,科技企業(yè)及醫(yī)療機(jī)構(gòu)等。 半導(dǎo)體/微納,光電/光學(xué) 產(chǎn)品主要有: 德國ParcanNano(Nano analytik)針尖光刻機(jī),電子束光刻機(jī), 激光直寫光刻機(jī),紫外光刻機(jī),微納3D打印機(jī),德國Sentech刻蝕機(jī)/鍍膜機(jī)及原子沉積,英國HHV磁控/電子束/熱蒸發(fā)鍍膜機(jī),微波離子沉積機(jī)MPCVD,芬蘭Picosun原子層沉積機(jī),電子顯微鏡, 德國Bruker布魯克原子力顯微鏡/微納表征/光譜儀, 美國THERMO FISHER賽默飛光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀,美國Sonix超聲波顯微鏡, 德國耐馳Netzsch熱分析儀, 德國Optosol吸收率發(fā)射率檢測儀, 日本SEN UV清洗機(jī)/UV清洗燈,美國Jelight紫外清洗機(jī)/紫外燈管,德國Diener等離子清洗機(jī)等*技術(shù)產(chǎn)品。 生命科學(xué)/生物醫(yī)療 產(chǎn)品主要有:PCR儀,核酸質(zhì)譜儀/核酸檢測儀,電子顯微鏡,紫外設(shè)備,光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀,生物芯片,試劑,實(shí)驗(yàn)耗材等。 并可依據(jù)客戶需求,研發(fā)定制相關(guān)產(chǎn)品。我們以高性價(jià)比的優(yōu)勢為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù),為高等院校, 研究所,科技企業(yè)及醫(yī)療機(jī)構(gòu)等客戶提供儀器設(shè)備和材料。
ICP-RIE SI 500 德國Sentech等離子刻蝕機(jī), 等離子刻蝕設(shè)備SI 500使用低離子能量的電感耦合等離子體用于低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)刻蝕。通過在廣泛的溫度范圍內(nèi)的動態(tài)溫度控制確保了可重復(fù)且穩(wěn)定的等離子刻蝕條件。深反應(yīng)等離子刻蝕(硅,III-V族半導(dǎo)體,MEMS)可采用低溫工藝和室溫下的氣體切換工藝來實(shí)現(xiàn)。
SI 500 等離子刻蝕機(jī) 產(chǎn)品信息

ICP-RIE SI 500 德國Sentech等離子刻蝕機(jī)


低損傷刻蝕

由于離子能量低,離子能量分布帶寬窄,因此可以用我們的等離子體刻蝕機(jī)SI 500進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。

高速刻蝕

對于具有高深寬比的高速硅基MEMS刻蝕,光滑的側(cè)壁可以通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實(shí)現(xiàn)。

自主研發(fā)的ICP等離子源

三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能,非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。

動態(tài)溫度控制

在等離子體刻蝕過程中,襯底溫度的設(shè)定和穩(wěn)定性對于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關(guān)重要的作用。動態(tài)溫度控制的ICP襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感,可在-150°C至+400°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)良的工藝條件。

SI 500為研發(fā)和生產(chǎn)提供*的電感耦合等離子體(ICP)工藝設(shè)備。它基于ICP等離子體源PTSA,動態(tài)溫度控制的襯底電極,全自動控制的真空系統(tǒng),使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的*的SETECH控制軟件和用于操作SI 500的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是SI 500主要的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī),可以用于加工各種各樣的襯底,從直徑高達(dá)200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件,并且切換工藝非常容易。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī),通過配置可用于刻蝕不同材料,包括但不于例如三五族化合物半導(dǎo)體(GaAs, InP, GaN, InSb),介質(zhì),石英,玻璃,硅和硅化合物(SiC, SiGe),還有金屬等。

SENTECH提供用戶不同級別的自動化程度,從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室到六個(gè)工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī)也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊。

SI 500

  • ICP等離子刻蝕機(jī)
  • 帶預(yù)真空室
  • 適用于200mm的晶片
  • 襯底溫度從-20 °C到300 °C

SI 500 C

  • 等溫ICP等離子刻蝕機(jī)
  • 帶傳送腔和預(yù)真空室
  • 襯底溫度從-150 °C到400 °C

SI 500 IRE

  • RIE等離子刻蝕機(jī)
  • 背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案
  • 電容耦合等離子體源,可升級成ICP等離子體源PTS

SI 500-300

  • ICP等離子刻蝕機(jī)
  • 帶預(yù)真空室
  • 適用于300mm晶片

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