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半導體晶片內部缺陷檢測系統 無損探傷檢測設備

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱北京合能陽光新能源技術有限公司
  • 品       牌
  • 型       號HS-phys-Si
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2022/10/27 12:00:42
  • 訪問次數341
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北京合能陽光新能源技術有限公司是一家硅材料檢驗儀器及服務提供商,提供全面的硅料、單晶硅片、多晶硅片等成套檢驗設備及*解決方案。同時,拉單晶生產所需的輔料也是我公司主營范圍之一

硅材料檢測設備,拉單晶輔料,藍寶石檢測
測量范圍 直徑達400mm、厚度達30mm的晶片檢查 產地 進口
尺寸 1800[H]x 1100[W]x 1100[D]mmmm 分辨率 0.4mm分辨率的近紅外InGaAs探測器
類型 無損傷 重量 270kg
HS-phys-SimPLe半導體晶片內部缺陷檢測系統是專門用于包括單晶硅、碳化硅、藍寶石等半導體晶片及晶環生產過程中以的分辨率探測晶片和晶環的內部滑移線、內部隱裂等內部缺陷檢測的儀器
半導體晶片內部缺陷檢測系統 無損探傷檢測設備 產品信息

HS-phys-SimPLe半導體晶片內部缺陷檢測系統是專門用于包括單晶硅、碳化硅、藍寶石等半導體晶片及晶環生產過程中以的分辨率探測晶片和晶環的內部滑移線、內部隱裂等內部缺陷檢測的儀器



檢測原理是:HS-Phys-SimPLe系統是一種高分辨率光致發光(PL)掃描映射系統,用于表征直徑高達400mm的半導體晶片。使用專門設計的高強度激光源來激發半導體材料中的少子載流子。

三種類型復合載體:SRHShockley-Read-Hall)深能級復合,Auger俄歇復合和Radiative輻射復合。在較低注入水平下,Auger俄歇復合可以忽略不計,因此“清潔”區域由輻射控制,而污染區域主要由SRH深能級復合控制。由于結晶滑移缺陷就像溶解污染的吸雜點,具有較低的輻射發射。因此可以通過PL技術將其可視化。


產品特點

  直徑達400mm、厚度達30mm的晶片檢查

  60µm分辨率下的滑移線檢測

  更多波長可供選擇

  檢測速度:12英寸-13分鐘,8英寸-5分鐘

  利用優化的波長和過濾進行PL滑移線檢查,可以發現制程中尚未發現的問題

  顯示更小的滑移線等內部缺陷。

  自動晶圓探測器

  自動參數設置

  即使在低信號采樣上也具有高分辨率和高對比度




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