納米銦錫金屬氧化物高速分散機,金屬氧化物高速分散機,納米銦錫高速分散機，高剪切研磨分散機,分體式高速分散機，管線式分散機

分散是至少兩種互不相溶或者難以相溶且不發生化學反應的物質的混合過程。工業分散的目標是在連續相中實現“令人滿意的”精細分布。 

作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上，用作透明導電薄膜，同時減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。

ITO 是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，通常有兩個性能指標：電阻率和透光率。

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在氧化物導電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率zui高和導電性能，而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制，通常SnO2:In2O3=1:9。

目前ITO膜層之電阻率一般在5*10E-4左右，可達5*10E-5，已接近金屬的電阻率，在實際應用時，常以方塊電阻來表征ITO的導電性能，其透過率則可達90%以上，ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例控制，增加氧化銦比例則可提高ITO之透過率，通常SnO2: In2O3=1:9，因為氧化錫之厚度超過200Å時，通常透明度已不夠好---雖然導電性能很好。

顆粒細化到納米級后，其表面積累了大量的正、負電荷，納米顆粒的形狀極不規則，這樣造成了電荷的聚集。納米顆粒表面原子比例隨著納米粒徑的降低而迅速增加，當降至1nm時，表面原子比例高達90%，原子幾乎全部集中到顆粒表面，處于高度活化狀態，導致表面原子配位數不足和高表面能。納米顆粒具有很高的化學活性，表現出強烈的表面效應，很容易發生聚集而達到穩定狀態，從而團聚發生
*納米氧化物極易產生自身的團聚，使得應有的性能難以充分發揮。此外，納米氧化物的諸多奇異性能能否得到充分發揮，還取決于zui大限度降低粉體與介質間的表面張力。因此，納米氧化物粉體必須均勻分散，充分打開其團聚體，才能發揮其應有的奇異性能。

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影響分散乳化結果的因素有以下幾點

1 分散頭的形式（批次式和連續式）（連續式比批次好）

2 分散頭的剪切速率 （越大，效果越好）

3 分散頭的齒形結構（分為初齒，中齒，細齒，超細齒，約細齒效果越好）

4 物料在分散墻體的停留時間，乳化分散時間（可以看作同等的電機，流量越小，效果越好）

5 循環次數（越多，效果越好，到設備的期限，就不能再好）

線速度的計算

剪切速率的定義是兩表面之間液體層的相對速率。

– 剪切速率 (s-1) = v 速率 (m/s) 
g 定-轉子 間距 (m)

由上可知，剪切速率取決于以下因素：

– 轉子的線速率

– 在這種請況下兩表面間的距離為轉子-定子 間距。
IKN 定-轉子的間距范圍為 0.2 ~ 0.4 mm

速率V= 3.14 X D（轉子直徑）X 轉速 RPM / 60

    高的轉速和剪切率對于獲得超細微懸浮液是zui重要的。可以處理量大，運轉更平穩，拆裝更方便,適合工業化在線連續生產，粒徑分布范圍窄，分散效果佳，*，物料*通過分散剪切。

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