SKM200GB12E4
SKM200GB12E4代理有哪些?
SKM200GB12E4可控硅IGBT模塊是由德國(guó)賽米控Semikron出品,采用*工藝;
通常采購(gòu)前了解清楚用途,用于維修或是研發(fā)生產(chǎn),維修簡(jiǎn)單明了,確定好型號(hào)規(guī)格就沒(méi)問(wèn)題;但研發(fā)生產(chǎn)較為復(fù)雜,需要發(fā)技術(shù)資料給工程師,待工程師確認(rèn)好技術(shù)參數(shù)規(guī)格后方能進(jìn)入采購(gòu)流程。
SKM200GB12E4用于維修,首先如何判斷可控硅/IGBT模塊是否已經(jīng)損壞,下面用zui簡(jiǎn)單的方法來(lái)判斷IGBT的好壞:
萬(wàn)用表判斷SKM200GB12E4好壞
方法二
SKM200GB12E4 IGBT組件檢測(cè)方法
IGBT正常工作時(shí),柵極與發(fā)射極之間的電壓約為9V發(fā)射極為基準(zhǔn)。若在路測(cè)量,電路正常工作時(shí):正電壓約為13V負(fù)電壓約為-9V的166µs半周期方波
應(yīng)側(cè)阻值 萬(wàn)用表接法 正常 異常
C—E之間 C接表正,E接表負(fù) 數(shù)百歐 短路,開(kāi)路
C接表負(fù),E接表正 約16KΩ 短路,幾百歐
C—B之間 C接表正,B接表負(fù) 無(wú)窮大 短路,幾百歐
C接表負(fù),B接表正 無(wú)窮大 短路,幾百歐
B—E之間 B接表正,E接表負(fù) 無(wú)窮大 短路,幾百歐
B接表負(fù),E接表正 無(wú)窮大 短路,幾百歐
當(dāng)撐握了以上2種方法判斷后再確定是否要采購(gòu)。
很多采購(gòu)*次接觸此類(lèi)產(chǎn)品,無(wú)從下手,在此建議一定不要只看價(jià)格,性能質(zhì)量穩(wěn)定也非常重要。
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