SKM200GBD123D
SKM200GBD123D代理有哪些？
SKM200GBD123D可控硅IGBT模塊是由德國(guó)賽米控Semikron出品，采用*工藝；
通常采購(gòu)前了解清楚用途，用于維修或是研發(fā)生產(chǎn)，維修簡(jiǎn)單明了，確定好型號(hào)規(guī)格就沒問題；但研發(fā)生產(chǎn)較為復(fù)雜，需要發(fā)技術(shù)資料給工程師，待工程師確認(rèn)好技術(shù)參數(shù)規(guī)格后方能進(jìn)入采購(gòu)流程。
SKM200GBD123D用于維修，首先如何判斷可控硅/IGBT模塊是否已經(jīng)損壞，下面用zui簡(jiǎn)單的方法來判斷IGBT的好壞：
萬用表判斷SKM200GBD123D好壞
方法一
工具：10K檔指針式萬用表（只可用R×10K檔）
1、G、 E間充放電：先用表筆短接一下G、E，再測(cè)量G、E時(shí)，表筆剛接觸時(shí)指針會(huì)向右微擺一下，然后回至左邊無窮大。
2、導(dǎo)通與判斷：黑表筆接C,紅表筆接E，用手指碰一下C和G，表筆向右轉(zhuǎn)，阻值到200K左右，表明模塊已開通。當(dāng)手指放開，表針保持或慢慢向左回去，再用手指碰G、E,則表針迅速左偏至無窮大，表明模塊已關(guān)斷。
3、每模塊有兩組，要分別對(duì)應(yīng)反復(fù)測(cè)量幾次。
方法二
SKM200GBD123D IGBT組件檢測(cè)方法
IGBT正常工作時(shí)，柵極與發(fā)射極之間的電壓約為9V發(fā)射極為基準(zhǔn)。若在路測(cè)量，電路正常工作時(shí)：正電壓約為13V負(fù)電壓約為-9V的166µs半周期方波
應(yīng)側(cè)阻值 萬用表接法 正常 異常
C—E之間 C接表正，E接表負(fù) 數(shù)百歐 短路，開路
C接表負(fù)，E接表正 約16KΩ 短路，幾百歐
C—B之間 C接表正，B接表負(fù) 無窮大 短路，幾百歐
C接表負(fù)，B接表正 無窮大 短路，幾百歐
B—E之間 B接表正，E接表負(fù) 無窮大 短路，幾百歐
B接表負(fù)，E接表正 無窮大 短路，幾百歐
當(dāng)撐握了以上2種方法判斷后再確定是否要采購(gòu)。
很多采購(gòu)*次接觸此類產(chǎn)品，無從下手，在此建議一定不要只看價(jià)格，性能質(zhì)量穩(wěn)定也非常重要。
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SKM200GBD123DIGBT模塊圖
