晶片切割用高純水設備-北京單晶硅用水設備

　　晶片切割用高純水設備-北京單晶硅用水設備

　　北京公司從事的反滲透和EDI技術，屬當今世界上*技術，在電子、醫藥等行業水質凈化、清洗、水質純化以及水處理有著廣泛的應用。超純水設備具有能耗低、脫鹽率高、除菌能力強和操作簡單、維護方便的特點，大大節省了運行、維修成本。

　　EDI技術在當今已涉足了生產的眾多領域。我們的EDI超純水系列產品在眾多電子廠、制藥廠以及科研實驗室使用效果非常好，愿意為廣大客戶提供好的超純水工藝和設備，為貴司減少生產成本和提高生產效率盡一份力!

　　詳細介紹：

　　EDI技術簡介(Electrodeionization)

　　又稱連續電除鹽技術，它科學地將電滲析技術和離子交換技術融為一體，通過陽、陰離子膜對陽、陰離子的選擇透過作用以及離子交換樹脂對水中離子的交換作用，在電場的作用下實現水中離子的定向遷移，從而達到水的深度凈化除鹽，并通過水電解產生的氫離子和氫氧根離子對裝填樹脂進行連續再生，因此EDI制水過程不需酸、堿化學藥品再生即可連續制取高品質超純水，它具有技術*、結構緊湊、操作簡便的優點，可廣泛應用于電力、電子、醫藥、化工、食品和實驗室領域，是水處理技術的綠色革命。這一新技術可以代替傳統的離子交換裝置，生產出電阻率高達16-18MCM的超純水。北京EDI超純水設備,北京純水設備,北京工業超純水設備

　　EDI工作原理:

　　EDI設備工作原理

　　高純度水對許多工商業工程非常重要，比如：半導體制造業和制藥業。以前這些工業用的純凈水是用離子交換獲得的。然而，膜系統和膜處理過程作為預處理過程或離子交換系統的替代品越來越流行。如電除鹽過程(EDI)之類的膜系統可以很干凈地去除礦物質并可以連續工作。而且，膜處理過程在機械上比離子交換系統簡單得多，并不需要酸、堿再生及廢水中和。EDI處理過程是膜處理過程中增長快的業務之一。EDI帶有特殊水槽，水槽里的液流通道中填充了混床離子交換樹脂。EDI主要用于把總固體溶解量(TDS)為1-20mg/L的水源制成8-17兆歐純凈水。

　　EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰/陽離子交換膜之間形成EDI單元。EDI工作原理如圖所示。EDI組件中將一定數量的EDI單元間用網狀物隔開，形成濃水室。又在單元組兩端設置陰/陽電極。在直流電的推動下，通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室而在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統，成為濃水.EDI設備一般以反滲透(RO)純水作為EDI給水。RO純水電阻率一般是40-2S/cm(25℃)。EDI純水電阻率可以高達18M.cm(25℃)，但是根據去離子水用途和系統配置設置，EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18.2M.cm(25℃)的純水。

　　EDI工作原理圖

　　EDI裝置的特點EDI裝置不需要化學再生,可連續運行,進而不需要傳統水處理工藝的混合離子交換設備再生所需的酸堿液,以及再生所排放的廢水。

　　EDI模塊結構特點

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　　1、淡水隔板采用衛生級PE材料

　　2、EDI膜片采用進口均相膜和國產異相離子交換膜

　　3、采用進口EDI專用均粒樹脂和國產EDI專用均粒樹脂

　　4、EDI電極板采用鈦鍍釕技術

　　5、壓緊板采用具有硬性的合金鋁軋鑄而成。

　　6、固定螺絲采用國標標準件

　　7、膜堆出廠高試壓7bar不漏水

　　8、膜堆電阻低、功耗小

　　9、外觀裝飾板造型美觀結實

　　10、大膜堆處理水量3T/H，小模堆處理水量75L/H

　　11、純水、濃水、極水通道設計合理，不易堵塞，水流分布均勻、*。

　　進水指標要求

　　◎通常為單級反滲透或二級反滲透的滲透水

　　◎TEA(總可交換陰離子，以CaCO3計)：25ppm。

　　◎電導率：40S/cm

　　◎PH：6.0～9.0。當總硬度低于0.1ppm時，EDI工作的pH范圍為8.0～9.0。

　　◎溫度：5～35℃。

　　◎進水壓力：4bar(60psi)。

　　◎硬度：(以CaCO3計)：1.0ppm。

　　◎有機物(TOC)：0.5ppm。

　　◎氧化劑：Cl20.05ppm，O30.02ppm。

　　◎變價金屬：Fe0.01ppm，Mn0.02ppm。

　　◎H2S：0.01ppm。

　　◎二氧化硅：0.5ppm。

　　◎色度：5APHA。

　　◎二氧化碳的總量：10ppm

　　◎SDI15min：1.0。

　　EDI是一種具有革命性意義的新型綠色脫鹽超純水制備技術，是放置在反滲透系統后的二次除鹽設備，它可以制取15～18M.CM的超純水.EDI模塊的再生無需任何化學藥劑，可以連續運行.再生時，只需調節EDI的運行電流即可.因此廣泛應用于微電子、半導體、發電廠、制藥和實驗室等領域。

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